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Infineon BSC070N10NS3G

Name: BSC070N10NS3G
Rating: 4.5 (10 reviews)

N-Channel 100 V 90A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

브랜드: Infineon Technologies Corporation

제조업체부품 #: BSC070N10NS3G

데이터 시트: BSC070N10NS3G 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TDSON-8

RoHS 상태:

재고상태: 3027 PC, 새로운 원본

상품 유형: 트랜지스터

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

가격

*모든 가격은 USD 단위입니다.

수량	단가	추가 가격
1	$0.981	$0.981
10	$0.858	$8.580
30	$0.743	$22.290
100	$0.656	$65.600
500	$0.620	$310.000
1000	$0.604	$604.000

In Stock:3027 PCS

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BSC070N10NS3G 일반적인 설명

N-Channel 100 V 90A (Tc) 114W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Source Content uid	BSC070N10NS3G	Pbfree Code	Yes
Rohs Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Ihs Manufacturer	INFINEON TECHNOLOGIES AG	Package Description	TDSON-8
Pin Count	8	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Samacsys Manufacturer	Infineon
Avalanche Energy Rating (Eas)	160 mJ	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	100 V
Drain Current-Max (ID)	92 A	Drain-source On Resistance-Max	0.007 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	Feedback Cap-Max (Crss)	21 pF
JESD-30 Code	R-PDSO-N8	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	8	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Operating Temperature-Min	-55 °C
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY	Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	114 W
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	368 A	Qualification Status	Not Qualified
Surface Mount	YES	Terminal Finish	TIN
Terminal Form	NO LEAD	Terminal Position	DUAL
Transistor Application	SWITCHING

배송

	배송비	리드타임
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
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TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
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등기 항공 우편	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날

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	웨스턴 유니언	charge US.00 banking fee.
	돈 그램	US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다.

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포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The BSC070N10NS3G is a power MOSFET transistor designed for high-power applications. It features a low on-resistance and low gate charge, making it efficient and reliable for use in various electronic devices and systems. The chip offers high performance and is suitable for applications requiring high current handling capabilities.
Equivalent

The equivalent products of BSC070N10NS3G chip are Infineon IPT075N10N3G, ON Semiconductor NTMFS4C06N, and Toshiba TK31N60X. These chips are all power MOSFETs with similar specifications and performance characteristics.
Features

BSC070N10NS3G is a MOSFET transistor with a maximum continuous drain current of 100A, a voltage rating of 100V, and a low on-resistance of 7mΩ. It is designed for high power applications, with enhanced ruggedness and reliability. Additionally, it has a TO-220 package for easy mounting and heat dissipation.
Pinout

The BSC070N10NS3G is a 700V, 10A N-channel power MOSFET with a TO-252 package. It has 3 pins: G (gate), D (drain), and S (source). The gate pin controls the flow of current between the drain and source pins.
Manufacturer

The BSC070N10NS3G is manufactured by Infineon Technologies AG, a German semiconductor manufacturer specializing in power and chip solutions for automotive, industrial, and consumer applications. They are known for producing innovative and high-quality semiconductor products for a wide range of industries worldwide.
Application Field

The BSC070N10NS3G power transistor is commonly used in automotive, industrial, and consumer applications for power management and control. It is suitable for various voltage regulation, motor control, and power supply applications where high efficiency and reliability are required.
Package

The BSC070N10NS3G chip comes in a TO-263-3 (D2PAK) package type. It is in a single form with a size of 10.3mm x 7.6mm x 4.6mm.