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Infineon BSC059N04LS6
MOSFET TRENCH <= 40V
브랜드: Infineon Technologies Corporation
제조업체부품 #: BSC059N04LS6
데이터 시트: BSC059N04LS6 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: SuperSO8 5x6
RoHS 상태:
재고상태: 3789 PC, 새로운 원본
상품 유형: Power Field-Effect Transistors
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| 수량 | 단가 | 추가 가격 |
|---|---|---|
| 1 | $1.421 | $1.421 |
| 10 | $1.204 | $12.040 |
| 30 | $1.086 | $32.580 |
| 100 | $0.952 | $95.200 |
| 500 | $0.892 | $446.000 |
| 1000 | $0.864 | $864.000 |
In Stock:3789 PCS
BSC059N04LS6 일반적인 설명
The OptiMOS™ 6 power MOSFET 40V family is optimized for a variety of applications and circuits, such as synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) in servers, desktop PCs, wireless chargers, quick chargers and ORing circuits. Improvements in on-state resistance (RDS(on)) and figure of merits (FOM - RDS(on) x Qg and Qgd) enable designers to increase efficiency, allowing easier thermal design and less paralleling, leading to system cost reduction.
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN Code | EAR99 | Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 10 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 40 V |
| Drain Current-Max (ID) | 49 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.0084 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 Code | R-PDSO-F3 |
| JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 3 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 175 °C |
| Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Polarity/Channel Type | N-CHANNEL | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 236 A |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | TIN |
| Terminal Form | FLAT | Terminal Position | DUAL |
| Transistor Application | SWITCHING |
배송
| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
|---|---|---|---|
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지불
| 지불 조건 | 핸드 수수료 | |
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웨스턴 유니언 | charge US.00 banking fee. |
 |
돈 그램 | US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
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부품 포인트
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The BSC059N04LS6 chip is a power MOSFET designed for new energy vehicles. It offers low on-resistance, high current handling capability, and has a compact footprint. The chip is optimized for efficiency, reliability, and cost-effectiveness in applications such as electric vehicles, battery management systems, and industrial motor drives. It provides improved power conversion and control, contributing to the overall performance and sustainability of new energy vehicle systems.
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Features
The BSC059N04LS6 is a power MOSFET transistor with a voltage rating of 40V, a continuous drain current of 60A, and a low on-resistance of 5.9 milliohms. It features a TO-220 package, making it suitable for high power applications. -
Pinout
The BSC059N04LS6 is a MOSFET transistor with a TO-263-7 package. It has 7 pins, including the gate (G), drain (D), source (S), and different source connections for the Kelvin source (KS) and Kelvin source 2 (KS2). The function of each pin corresponds to the standard connections and characteristics of a MOSFET transistor. -
Manufacturer
Infineon Technologies is the manufacturer of the BSC059N04LS6. It is a German semiconductor company that specializes in producing power semiconductors, sensors, and other electronic components. -
Application Field
The BSC059N04LS6 is a power MOSFET transistor commonly used in automotive applications such as electric power steering, transmission control, and advanced driver assistance systems (ADAS). It can also be used in industrial applications such as motor control, power supplies, and battery management systems. -
Package
The BSC059N04LS6 chip has a package type called Power-SO8, a form referred to as SMD/SMT, and a size of 5 mm x 6 mm.
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