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$5000vishay SI2318CDS-T1-GE3
SOT-23-3 Packaged N-Channel MOSFET with 40 Volts Drain-to-Source Voltage and 0.042 Ohms On-Resistance
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브랜드: Vishay
제조업체부품 #: SI2318CDS-T1-GE3
데이터 시트: SI2318CDS-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: SOT-23-3
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
SI2318CDS-T1-GE3 일반적인 설명
The SI2318CDS-T1-GE3 is a top-notch P-channel MOSFET transistor perfect for a wide range of applications. With a robust maximum drain-source voltage of -20V and a continuous drain current of -4.3A, this transistor is ideal for power management tasks requiring high-speed switching capabilities. Its ultra-low on-resistance of 53mΩ at a VGS of -4.5V significantly reduces power losses, enhancing overall efficiency in switching circuits. Moreover, the SI2318CDS-T1-GE3 boasts a minimal gate charge of 10nC, facilitating quick switching speeds for optimized performance
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특징
- Durable construction
- Low power consumption
- Long lifespan reliability
- Easy installation
애플리케이션
- Power control applications
- Voltage regulation circuit
- Compact power management
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
Id - Continuous Drain Current | 5.6 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 42 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage | - 20 V, + 20 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
Qg - Gate Charge | 2.9 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 2.1 W |
Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
Configuration | Single | Fall Time | 8 ns |
Product Type | MOSFET | Rise Time | 20 ns |
Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 14 ns |
Typical Turn-On Delay Time | 7 ns | Part # Aliases | SI2318CDS-T1-BE3 SI2318CDS-GE3 |
Unit Weight | 0.000282 oz |
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부품 포인트
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SI2318CDS-T1-GE3 is a power MOSFET chip manufactured by Vishay. It is designed for use in low voltage applications, with a breakdown voltage of 20V. This chip has a small package size, making it suitable for space-constrained designs. It offers low on-resistance and high thermal performance, enabling efficient power handling. Overall, SI2318CDS-T1-GE3 is a reliable and efficient option for various low voltage applications.
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Equivalent
Equivalent products to the SI2318CDS-T1-GE3 chip include SI2318CDS-T1-E3, SI2319CDS-T1-GE3, and SI2319CDS-T1-E3. -
Features
The features of SI2318CDS-T1-GE3 include a voltage rating of 20V, a continuous drain current of 2.1A, low on-resistance of 55mΩ, and a gate threshold voltage of 1V to 2.5V. It also has a compact SOT-23 package and is suitable for use in various applications such as load switching and power management. -
Pinout
The SI2318CDS-T1-GE3 is a 3-pin MOSFET transistor. It has a pin count of 3, with a gate, drain, and source pin. The function of this transistor is to control and amplify electrical signals within a circuit. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI2318CDS-T1-GE3 is Vishay Siliconix. It is a semiconductor company that produces a wide range of power MOSFETs, diodes, and optoelectronic components for various industries, including automotive, telecommunications, consumer electronics, and industrial applications. -
Application Field
The SI2318CDS-T1-GE3 is a small signal MOSFET transistor that can be used in various applications such as low voltage switching, audio amplification, and power management circuits. -
Package
The SI2318CDS-T1-GE3 chip from Vishay Siliconix has a package type of SOT-23, a form of Surface Mount, and has a size of 2.9mm x 1.3mm.
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