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ST NAND512W3A2BN6E
High-capacity storage for your devices, offering B of reliable data retentio
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제조업체부품 #: NAND512W3A2BN6E
데이터 시트: NAND512W3A2BN6E Datasheet (PDF)
패키지/케이스: TSOP-1-48
RoHS 상태:
재고상태: 3,817 PC, 새로운 원본
상품 유형: 메모리
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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1152 | $7.822 | $9010.944 |
재고: 3,817 PCS
NAND512W3A2BN6E 일반적인 설명
FLASH - NAND Memory IC 512Mbit Parallel 50 ns 48-TSOP
![nand512w3a2bn6e nand512w3a2bn6e](/files/uploads/product/b/nand512w3a2bn6eJotrin_Com201612171130432477.jpg)
특징
- It has a capacity of 512 megabytes.
- It uses a NAND interface for data transfer.
- It operates with a supply voltage of 2.7V to 3.6V.
- It has a page size of 2KB and a block size of 128 pages.
- It has a maximum data transfer rate of 52 megabytes per second.
애플리케이션
- Consumer Electronics: Used in devices such as smartphones, tablets, digital cameras, USB drives, and portable media players for data storage and firmware updates.
- Embedded Systems: Employed in embedded systems for program storage, configuration data, and firmware updates in applications such as industrial automation, automotive, and medical devices.
- Solid-State Drives (SSDs): Utilized as storage components in SSDs, providing high-speed data access and reliable storage for computers and servers.
- Networking Equipment: Found in network routers, switches, and servers for firmware storage and data caching.
- Industrial Control: Used in industrial control systems and automation equipment for program storage and data logging.
- Automotive Electronics: Employed in automotive applications for storing firmware, calibration data, and other non-volatile information.
- Smart Grid Systems: Utilized in energy metering and monitoring systems for data storage and firmware updates.
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Product Name | NAND512W3A2BN6E | Manufacturer | Micron Technology |
Memory Type | NAND Flash | Memory Size | 512 Mbit |
Organization | 64M x 8 | Interface | Parallel |
Supply Voltage | 2.7V to 3.6V | Access Time | 200 ns |
Operating Temperature Range | -40°C to +85°C | Package / Case | TSOP-48 |
Packaging | Tube |
배송
배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
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DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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페덱스 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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등기 항공 우편 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.
지불
지불 조건 | 핸드 수수료 | |
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은행 송금 | US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
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페이팔 | 4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다. |
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신용 카드 | 3.5% 서비스 수수료를 부과합니다. |
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웨스턴 유니언 | charge US.00 banking fee. |
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돈 그램 | US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
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포장
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단계1 :제품
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단계2 :진공 포장
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단계4 :개별 포장
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단계5 :포장 상자
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등가 부품
에 대한 NAND512W3A2BN6E 구성 요소인 경우 이러한 교체 및 대체 부품을 고려할 수 있습니다.:
부품 번호
브랜드
패키지
설명
부품 번호 : K9K8G08U0A
브랜드 : Samsung
패키지 :
설명 : This is a 512 megabit (64 megabyte) NAND Flash memory device with similar specifications to the NAND512W3A2BN6E. It utilizes SLC NAND technology and is available in various package types.
부품 번호 : TC58NVG2S0HRAIG
브랜드 : Toshiba
패키지 :
설명 : This is another 512 megabit NAND Flash memory device with comparable features. It is based on SLC NAND technology and is offered in different package options.
부품 번호 : MX30LF512G18AC
브랜드 : Macronix
패키지 :
설명 : This is a 512 megabit NAND Flash memory device that offers similar storage capacity and SLC NAND technology. It is available in various package types to suit different application requirements.
부품 포인트
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The NAND512W3A2BN6E chip is a NAND flash memory chip with a capacity of 512 gigabits. It is commonly used in a variety of electronic devices for data storage, such as smartphones, tablets, and solid-state drives. The chip offers high speed and reliability, making it a popular choice for memory storage applications.
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Equivalent
The equivalent products of NAND512W3A2BN6E chip are Micron MT29F4G08ABADAH4, Winbond W25N05JW, and Cypress S29GL512S10TFI013. These chips have similar specifications like NAND flash memory, 512Mb capacity, an asynchronous interface, and a 48-ball grid array package. -
Features
NAND512W3A2BN6E is a 512Gb 3-bit TLC NAND flash memory with a synchronous interface. It offers low power consumption, high storage capacity, and fast data transfer rates. It is designed for use in solid-state drives, tablets, smartphones, and other storage devices requiring high-performance flash memory. -
Pinout
The NAND512W3A2BN6E is a 32Gb, 3.3V NAND flash memory chip with a 48-pin TSOP package. Its functions include storing data for electronic devices, such as smartphones, tablets, and computers. -
Manufacturer
The manufacturer of the NAND512W3A2BN6E is Samsung. Samsung is a South Korean multinational conglomerate company that specializes in various industries including electronics, telecommunications, and semiconductors. They are one of the world's largest manufacturers of consumer electronics and semiconductor products. -
Application Field
The NAND512W3A2BN6E is commonly used in embedded systems, consumer electronics, automotive applications, and industrial equipment for data storage and code execution. Its low power consumption, high reliability, and fast access times make it ideal for a wide range of applications that require non-volatile memory storage. -
Package
The NAND512W3A2BN6E chip is in a BGA (Ball Grid Array) package type, with a form factor of 14 x 18 mm, and a size of 512 megabits (64 megabytes).
데이터 시트 PDF
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