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ST NAND08GW3B2CN6

Name: NAND08GW3B2CN6
Rating: 4.5 (10 reviews)

Ideal for demanding applications requiring high density

브랜드: Numonyx Memory Solutions

제조업체부품 #: NAND08GW3B2CN6

데이터 시트: NAND08GW3B2CN6 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: TSOP48

상품 유형: 메모리

RoHS 상태:

재고상태: 3,375 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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NAND08GW3B2CN6 일반적인 설명

NAND08GW3B2CN6 is a type of NAND Flash memory chip manufactured by Micron Technology. Here are some of its features:

특징

It has a capacity of 8 gigabits (1 gigabyte) and uses a 3-bit per cell (TLC) architecture.
It uses a NAND interface and operates at a voltage range of 2.7V to 3.6V.
It has a maximum program/erase cycle endurance of 3000 cycles and a retention time of up to 3 months at 85°C.

애플리케이션

Consumer electronics such as smartphones, tablets, and portable media players.
Solid-state drives (SSDs) used in desktops, laptops, and servers.
Automotive applications such as infotainment systems and advanced driver-assistance systems (ADAS).

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Source Content uid	NAND08GW3B2CN6	Rohs Code	No
Part Life Cycle Code	Transferred	Ihs Manufacturer	STMICROELECTRONICS
Part Package Code	TSOP	Package Description	TSOP1,
Pin Count	48	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8542.32.00.51
Access Time-Max	35 ns	JESD-30 Code	R-PDSO-G48
JESD-609 Code	e0	Length	18.4 mm
Memory Density	8589934592 bit	Memory IC Type	FLASH
Memory Width	8	Number of Functions	1
Number of Terminals	48	Number of Words	1073741824 words
Number of Words Code	1000000000	Operating Mode	ASYNCHRONOUS
Operating Temperature-Max	85 °C	Operating Temperature-Min	-40 °C
Organization	1GX8	Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Code	TSOP1	Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	Parallel/Serial	PARALLEL
Programming Voltage	3 V	Qualification Status	Not Qualified
Seated Height-Max	1.2 mm	Supply Voltage-Max (Vsup)	3.6 V
Supply Voltage-Min (Vsup)	2.7 V	Supply Voltage-Nom (Vsup)	3 V
Surface Mount	YES	Technology	CMOS
Temperature Grade	INDUSTRIAL	Terminal Finish	TIN LEAD
Terminal Form	GULL WING	Terminal Pitch	0.5 mm
Terminal Position	DUAL

배송

	배송비	리드타임
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
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	돈 그램	US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다.

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

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우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

등가 부품

에 대한 NAND08GW3B2CN6 구성 요소인 경우 이러한 교체 및 대체 부품을 고려할 수 있습니다.:

부품 번호

브랜드

패키지

설명

부품 번호 : MT29F8G08ABACAH4-ITD

브랜드 :

패키지 :

설명 :

부품 번호 : H27UCG8T2ETR-BC

브랜드 :

패키지 :

설명 :

부품 번호 : K9F8G08U0B-PIB0

브랜드 :

패키지 :

설명 :

부품 포인트

The NAND08GW3B2CN6 is a NAND flash memory chip manufactured by Micron Technology. It offers 8 gigabytes of storage capacity and operates at high speeds for data storage and retrieval. This chip is commonly used in a variety of electronic devices such as smartphones, tablets, and solid-state drives.
Equivalent

Some equivalent products of NAND08GW3B2CN6 chip are Toshiba TC58NYG0S3EBAI4, Micron MT29F8G08ABABAWP, Samsung K9GAG08U0E, and Hynix H27UCG8T2MYR. These chips are all compatible with NAND08GW3B2CN6 in terms of functionality and specifications.
Features

NAND08GW3B2CN6 is a 8Gb NAND flash memory IC that features a page size of 16KB, a block size of 256 pages, a program/erase cycle endurance of 3000 cycles, and a supply voltage range of 2.7V to 3.6V. It also has a x8 I/O interface, a sequential read speed of up to 70MB/s, and a 3.3V Vccq voltage for the core circuit.
Pinout

The NAND08GW3B2CN6 is an 8-channel NAND gate with a maximum input voltage of 3.6V. It has a pin count of 14, with the following functions: Pin 1 and 14 - VCC, Pin 2 and 13 - Output 1, Pin 3 and 12 - Output 2, Pin 4 and 11 - NAND input 1, Pin 5 and 10 - NAND input 2, Pin 6 and 9 - Enable, Pin 7 and 8 - GND.
Manufacturer

The manufacturer of the NAND08GW3B2CN6 is Micron Technology, Inc. Micron is a multinational corporation specializing in the development and production of computer memory and data storage solutions. They are one of the leading providers of NAND flash memory, DRAM modules, and solid-state drives used in a variety of electronic devices.
Application Field

The NAND08GW3B2CN6 is a NAND flash memory device commonly used in a variety of applications such as smartphones, tablet PCs, digital cameras, and solid-state drives. It is suitable for data storage in consumer electronics and computing devices that require high-speed and reliable storage solutions.
Package

The NAND08GW3B2CN6 chip is a 8GB NAND flash memory chip. It comes in a TSOP-48 package type and has a form factor of BGA.