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ST NAND01GW3B2BN6E

Name: NAND01GW3B2BN6E
Rating: 4.5 (10 reviews)

High-speed 1G-bit NAND Flash with 128M x 8 configuration for 3V/3.3V operations in TSOP Tray

브랜드: STMicroelectronics, Inc

제조업체부품 #: NAND01GW3B2BN6E

데이터 시트: NAND01GW3B2BN6E Datasheet (PDF)

패키지/케이스: TSOP-48

상품 유형: 메모리

RoHS 상태:

재고상태: 2,176 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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NAND01GW3B2BN6E 일반적인 설명

The NAND01GW3B2BN6E is not only powerful and reliable but also durable. Micron Technology has crafted a NAND flash memory chip that can withstand the rigors of constant use, making it an ideal choice for industrial and commercial applications. Its 3V power supply ensures efficient energy usage, while its high-speed data transfer capabilities make it a valuable asset in any system requiring quick access to information. Trust Micron Technology to deliver cutting-edge technology with the NAND01GW3B2BN6E, a chip that exceeds expectations in performance and longevity

특징

It is a 1Gb (gigabit) NAND flash memory chip.
It uses a 3.3V power supply.
It has a x8 I/O interface.
It has a page size of 2048 bytes and a block size of 128 pages.

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Case/Package	TSOP	Mount	Surface Mount
Number of Pins	48	Access Time	25 µs
Address Bus Width	8 b	Density	1 Gb
Interface	Parallel	Max Operating Temperature	85 °C
Max Supply Voltage	3.6 V	Memory Size	128 MB
Memory Type	FLASH, NAND	Min Operating Temperature	0 °C
Min Supply Voltage	2.7 V	Nominal Supply Current	30 mA
Sync/Async	Asynchronous	Termination	SMD/SMT
Word Size	8 b

배송

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

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우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The NAND01GW3B2BN6E is a NAND flash memory chip commonly used in electronic devices for data storage. It has a capacity of 1GB and a maximum data transfer rate of 50MB/s. The chip is often found in smartphones, tablets, digital cameras, and other consumer electronics.
Equivalent

The equivalent products of NAND01GW3B2BN6E chip are NAND02GW3B2BN6E, NAND04GW3B2BN6E, NAND08GW3B2BN6E, NAND16GW3B2BN6E, NAND32GW3B2BN6E, and NAND64GW3B2BN6E. These chips have similar specifications and functionalities, making them suitable replacements for NAND01GW3B2BN6E in various applications.
Features

NAND01GW3B2BN6E is a 1Gb SLC NAND flash memory device with a parallel interface. It offers high reliability, endurance, and fast read and write speeds for applications requiring high-performance data storage. The device is ideal for use in industrial, automotive, and consumer electronics applications.
Pinout

The NAND01GW3B2BN6E is a 8-pin NAND flash memory IC. It features a standard pin configuration with functions such as chip enable (CE), write enable (WE), output enable (OE), and data input/output (I/O). This IC is commonly used for data storage applications in various electronic devices.
Manufacturer

The NAND01GW3B2BN6E is manufactured by Micron Technology, Inc., an American multinational corporation specializing in computer memory and data storage. Micron is one of the leading manufacturers of NAND flash memory products used in various electronic devices such as smartphones, solid-state drives, and digital cameras.
Application Field

The NAND01GW3B2BN6E is commonly used in applications such as solid-state drives (SSDs), USB flash drives, memory cards, and other storage devices. Its high capacity, fast read/write speeds, and reliable performance make it ideal for storing large amounts of data in a compact and durable package.
Package

The NAND01GW3B2BN6E chip is in a TSOP-48 package, with a BGA form factor, and a size of 1Gbit.