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Infineon IPD25N06S4L-30

Name: IPD25N06S4L-30
Rating: 4.5 (10 reviews)

DPAK Packaged N-Channel MOSFET with 2+Tab Configuration

브랜드: Infineon

제조업체부품 #: IPD25N06S4L-30

데이터 시트: IPD25N06S4L-30 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: DPAK (PG-TO252-3)

RoHS 상태:

재고상태: 3502 PC, 새로운 원본

상품 유형: 트랜지스터

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

가격

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100	$0.724	$72.400
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In Stock:3502 PCS

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IPD25N06S4L-30 일반적인 설명

The IPD25N06S4L-30 is a Power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for high power applications. It has a drain-source voltage rating of 60V and a continuous drain current of 25A. The device has a low on-state resistance of 0.025 ohms, which helps to minimize power dissipation and increase efficiency in power electronics applications.The IPD25N06S4L-30 is built using a TrenchFET Gen IV technology, which offers improved performance in terms of efficiency, reliability, and thermal management. It also features a low gate charge, which allows for fast switching and reduced power losses.This MOSFET is housed in a TO-252 package, which provides excellent thermal conductivity and easy mounting on a printed circuit board. It is designed to operate in a wide temperature range from -55°C to 175°C, making it suitable for a variety of industrial and automotive applications.

특징

25A, 60V Power MOSFET
Low on-resistance
Thermal resistance of 30°C/W
High-speed switching
Low gate charge
Avalanche energy rated
Robust and reliable design
TO-252 package
Designed for high power applications
Suitable for use in motor control, power supplies, and inverters

애플리케이션

Electric vehicles
Solar power systems
Uninterruptible power supplies
Industrial motor drives
Power tools
Telecommunication equipment

명세서

매개변수	값	매개변수	값
IDpuls max	92.0 A	RthJC max	5.1 K/W
Ptot max	29.0 W	Qualification	Automotive
Package	DPAK (PG-TO252-3)	VDS max	60.0 V
RDS (on) max	30.0 mΩ	VGS(th) max	2.0 V
QG max	12.5 nC	Polarity	N
ID max	25.0 A	Technology	OptiMOS™-T2
VGS(th) min	1.2 V	Operating Temperature max	175.0 °C
Operating Temperature min	-55.0 °C

배송

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The IPD25N06S4L-30 chip is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for use in electronic devices. It features a low on-resistance and high power handling capability, making it suitable for applications that require high efficiency and reliability. The chip operates at a voltage of 30 volts and can handle a current of up to 25 amperes, making it ideal for power management purposes.
Equivalent

There are numerous equivalent products to the IPD25N06S4L-30 chip, including IRF540N, IRF540NPBF, IRF540NL, IRF540NLPBF, and IPD90N03S4L-05.
Features

The IPD25N06S4L-30 is a power MOSFET with a maximum drain current of 25A, a drain-source voltage rating of 60V, and a low on-resistance of 0.026 ohms. It offers fast switching speed, low gate charge, and is suitable for various types of power applications requiring high performance and reliability.
Pinout

The IPD25N06S4L-30 is a power MOSFET with a pin count of 3. It functions as a switch or amplifier in electronic circuits, enabling power control.
Manufacturer

Infineon Technologies AG is the manufacturer of the IPD25N06S4L-30. It is a multinational semiconductor company based in Germany.
Application Field

The IPD25N06S4L-30 is a power MOSFET that can be used in various applications, including motor control, power supplies, and lighting applications. Its high voltage and current ratings make it suitable for industrial and automotive applications. It offers low on-resistance and excellent switching performance, making it an ideal choice for high-power applications.
Package

The IPD25N06S4L-30 chip comes in a D2PAK package.