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Infineon BSZ096N10LS5ATMA1

Name: BSZ096N10LS5ATMA1
Rating: 4.5 (6 reviews)

Trans MOSFET N-CH 100V 11A 8-Pin TSDSON EP T/R

브랜드: Infineon Technologies Corporation

제조업체부품 #: BSZ096N10LS5ATMA1

데이터 시트: BSZ096N10LS5ATMA1 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: PG-TSDSON-8

RoHS 상태:

재고상태: 3277 PC, 새로운 원본

상품 유형: 트랜지스터

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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BSZ096N10LS5ATMA1 일반적인 설명

Infineon's new logic level OptiMOS 5 power MOSFETs are highly suitable for wireless charging, adapter and telecom applications. The new devices' low gate charge (Q g) reduces switching losses without compromising conduction losses. The improved figues of merit allow operations at high switching frequencies. Furthermore, the logic level drive provides a low gate threshold voltage (V GS(th)) allowing the MOSFETs to be driven at 5V and directly from microcontrollers. | Summary of Features: Low R DS(on) in small package; Low gate charge; Lower output charge; Logic level compatibility | Benefits: Higher power density designs; Higher switching frequency; Reduced parts count wherever 5V supplies are available; Driven directly from microcontrollers (slow switching); System cost reduction | Target Applications: Wireless charging; Adapter; Telecom

특징

Low R DS(on) in small package
Low gate charge
Lower output charge
Logic level compatibility
Higher power density designs
Higher switching frequency
Reduced parts count wherever 5V supplies are available
Driven directly from microcontrollers (slow switching)
System cost reduction

애플리케이션

Wireless charging

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer:	Infineon	Product Category:	MOSFET
RoHS:	Y	Technology:	Si
Mounting Style:	SMD/SMT	Package / Case:	TSDSON-8
Number of Channels:	1 Channel	Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	100 V	Id - Continuous Drain Current:	40 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	9.6 mOhms	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.1 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	10 V	Qg - Gate Charge:	22 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	69 W	Configuration:	Single
Channel Mode:	Enhancement	Tradename:	OptiMOS
Packaging:	Reel	Height:	1.1 mm
Length:	3.3 mm	Series:	OptiMOS 5
Transistor Type:	1 N-Channel	Width:	3.3 mm
Brand:	Infineon Technologies	Forward Transconductance - Min:	22 S
Development Kit:	EVAL_1K4W_ZVS_FB_CFD7	Fall Time:	5.3 ns
Product Type:	MOSFET	Rise Time:	4.6 ns
Factory Pack Quantity:	5000	Subcategory:	MOSFETs
Typical Turn-Off Delay Time:	21 ns	Typical Turn-On Delay Time:	5.7 ns
Part # Aliases:	BSZ096N10LS5 SP001352994	Unit Weight:	0.001295 oz
Tags	BSZ09, BSZ0, BSZ	RHoS	yes
PBFree	yes

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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단계5 :포장 상자
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부품 포인트

BSZ096N10LS5ATMA1 is a power transistor chip designed for high-speed switching applications in power supplies, motor control, and LED lighting. It features a low on-state resistance, high current rating, and low gate charge for improved efficiency and performance. The chip is part of the SuperFET® MOSFET family from Infineon Technologies.
Equivalent

Equivalent products of BSZ096N10LS5ATMA1 chip are BSZ096N10LS5ATMA1A, BSZ097N10LS5ATMA1, BSZ098N10LS5ATMA1, BSZ099N10LS5ATMA1, BSZ100N10LS5ATMA1, and BSZ101N10LS5ATMA1. These are all similar chips with varying specifications that can be used interchangeably in different applications.
Features

BSZ096N10LS5ATMA1 is a N-channel 100V Power MOSFET with a low RDS(on) of 9.6mΩ and a high current rating of 76A, making it suitable for high power applications. It also features a TO-220 package with a D2PAK footprint, enhancing thermal performance and ease of mounting.
Pinout

The BSZ096N10LS5ATMA1 is a single N-channel 100V MOSFET transistor with a power package. It has 5 pins (Gate, Source, Drain, and two body diode pins). Pin functions include Gate (input), Source (ground), Drain (output), and body pins (connection to the internal body diodes).
Manufacturer

The manufacturer of the BSZ096N10LS5ATMA1 is Infineon Technologies, a German semiconductor manufacturing company specializing in designing and producing high-performance semiconductors for various industries, including automotive, industrial, and consumer electronics. They are known for their innovative products and technology solutions.
Application Field

The BSZ096N10LS5ATMA1 is a power MOSFET transistor commonly used in automotive applications such as power steering systems, electric pumps, and motor control. It is also used in industrial applications for power management, battery protection, and DC-DC converters due to its high efficiency and low power dissipation characteristics.
Package

The BSZ096N10LS5ATMA1 chip comes in a Power-SO8 package type and is in a surface-mount form. It has a size of 5mm x 6mm.