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$5000RU1J002YNTCL
N-channel MOSFET, SOT323FL package, 50V, 200mA
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브랜드: Rohm Semiconductor
제조업체부품 #: RU1J002YNTCL
데이터 시트: RU1J002YNTCL 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: SC-85
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
RU1J002YNTCL 일반적인 설명
Innovation meets versatility in the RU1J002YNTCL MOSFET product line, which caters to a wide range of market requirements with its diverse offerings. Engineered for superior performance and energy efficiency, these components feature ultra-low ON-resistance achieved through advanced micro-processing technologies. From compact designs suited for portable devices to high-power options for more demanding applications, this product lineup ensures that customers have access to solutions that align with their specific needs and preferences
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 50 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 200mA (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 0.9V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.2Ohm @ 200mA, 4.5V | Vgs(th) (Max) @ Id | 800mV @ 1mA |
Vgs (Max) | ±8V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 26 pF @ 10 V |
Power Dissipation (Max) | 150mW (Ta) | Operating Temperature | 150°C (TJ) |
Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | UMT3F |
Package / Case | SC-85 |
배송
배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
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부품 포인트
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The RU1J002YNTCL chip is a low-power, RF front-end module designed for use in wireless communication applications. It combines a power amplifier, low-noise amplifier, and RF switch into a single compact package, providing improved performance and efficiency in a small footprint. The chip is ideal for use in IoT devices, smart meters, and other low-power wireless applications.
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Equivalent
The equivalent products of the RU1J002YNTCL chip are: STMicroelectronics ST25RU3993, NXP Semiconductors SL3S1203, and Alien Technology ALN-9768-WHAT-ET. -
Features
The RU1J002YNTCL is a high-power RF transistor designed for commercial and military applications. It offers excellent power gain, efficiency, and high operating frequency up to 1 GHz. It provides high reliability and ruggedness in a compact package, making it ideal for use in demanding environments. -
Pinout
RU1J002YNTCL is a quad-channel ESD protection diode with a pin count of 12. It is designed to protect sensitive electronics from electrostatic discharge (ESD) and surge events. Each channel consists of two diodes to protect both signal lines and power supplies. -
Manufacturer
RU1J002YNTCL is manufactured by Murata Manufacturing Co., Ltd. which is a Japanese multinational electronics company that specializes in the design, manufacture, and sale of electronic components and solutions. They offer a wide variety of products including capacitors, inductors, filters, sensors, and more for a range of industries such as automotive, healthcare, and telecommunications. -
Application Field
Some potential application areas for RU1J002YNTCL include industrial automation, robotics, and motor control. This high-power insulated gate bipolar transistor (IGBT) module is designed for high-performance and efficiency in controlling electric motors and other high-power electronics in various industrial settings. -
Package
The RU1J002YNTCL chip is a power amplifier module with a package type of MCM, form of SMD, and size of 5.0 x 5.0 mm.
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