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Infineon IPB180N03S4L-H0

Name: IPB180N03S4L-H0
Rating: 4.5 (10 reviews)

MOSFET N-Ch 30V 180A D2PAK-6 OptiMOS-T2

브랜드: infineon

제조업체부품 #: IPB180N03S4L-H0

데이터 시트: IPB180N03S4L-H0 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO263-7

RoHS 상태:

재고상태: 4,094 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IPB180N03S4L-H0 일반적인 설명

N-Channel 30 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	TO-263-7	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V
Id - Continuous Drain Current	180 A	Rds On - Drain-Source Resistance	1.1 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2 V
Qg - Gate Charge	176 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 175 C	Pd - Power Dissipation	188 W
Channel Mode	Enhancement	Qualification	AEC-Q101
Tradename	OptiMOS	Series	OptiMOS-T2
Brand	Infineon Technologies	Configuration	Single
Fall Time	41 ns	Height	4.4 mm
Length	10 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	24 ns	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	38 ns	Typical Turn-On Delay Time	35 ns
Width	9.25 mm	Part # Aliases	SP000555050 IPB18N3S4LHXT IPB180N03S4LH0ATMA1
Unit Weight	0.056438 oz

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부품 포인트

The IPB180N03S4L-H0 is a power MOSFET designed for high efficiency power applications. It features a low on-resistance and high current capability, making it suitable for use in a wide range of electronic devices such as power supplies, motor control, and battery management systems. The chip is designed for use in automotive, industrial, and consumer electronics applications.
Equivalent

Some equivalent products of the IPB180N03S4L-H0 chip include the IRFP3710, IRF2807, and IRF3710. These MOSFETs have similar specifications and can be used as substitutes in various applications requiring a power transistor with similar characteristics.
Features

1. MOSFET transistor 2. N-channel 3. Low on-resistance (RDS(on) = 1.8 mΩ) 4. Low threshold voltage (VGS(th) = 2V) 5. High current handling capability (180A) 6. High power dissipation (418W) 7. TO263-3 package (D²PAK)
Pinout

The IPB180N03S4L-H0 is a 8-pin Power MOSFET transistor. The pin functions are as follows: - Pin 1: Source - Pin 2: Gate - Pin 3: Drain - Pin 4: NC (no connection) - Pins 5, 6, 7, 8: NC (no connection)
Manufacturer

Infineon Technologies AG is the manufacturer of the IPB180N03S4L-H0. They are a German semiconductor manufacturer specializing in power management, sensor solutions, and security applications. Infineon Technologies AG is a global company with a focus on innovations and technologies that enable secure, efficient, and sustainable solutions for a variety of industries.
Application Field

The IPB180N03S4L-H0 is commonly used in power management applications such as motor control, DC-DC converters, and battery charging circuits due to its high efficiency, low on-resistance, and high current handling capabilities. Additionally, it is suitable for use in automotive, industrial, and consumer electronics applications.
Package

The IPB180N03S4L-H0 chip comes in a TO-263 (D2PAK) package, with a small outline size of 10.7mm x 10.5mm and a form factor of a single MOSFET. Its size and form make it suitable for a wide range of applications requiring high power and efficiency.