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$5000SI2356DS-T1-GE3
Transistor MOSFET for N-channel operation
브랜드: Vishay
제조업체부품 #: SI2356DS-T1-GE3
데이터 시트: SI2356DS-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: SOT-23-3
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
SI2356DS-T1-GE3 일반적인 설명
Introducing the SI2356DS-T1-GE3, a high-quality N-Channel MOSFET transistor that can handle a continuous drain current of 4.3A and a drain-source voltage of 40V. With an incredibly low on-resistance of 0.042ohm at a test voltage of 10V, this transistor offers superior efficiency and performance for your circuit designs. Its threshold voltage of 1.5V ensures accurate and reliable operation, making it an excellent choice for a wide range of high-power electronic applications
특징
애플리케이션
DC/DC Converter |Load Switch |LED Backlighting |Power Management명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Product Category | MOSFET | RoHS | Details |
| Technology | Si | Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 | Transistor Polarity | N-Channel |
| Number of Channels | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 40 V |
| Id - Continuous Drain Current | 4.3 A | Rds On - Drain-Source Resistance | 51 mOhms |
| Vgs - Gate-Source Voltage | - 12 V, + 12 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1.5 V |
| Qg - Gate Charge | 3.8 nC | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature | + 150 C | Pd - Power Dissipation | 1.7 W |
| Channel Mode | Enhancement | Tradename | TrenchFET |
| Series | SI2 | Brand | Vishay Semiconductors |
| Configuration | Single | Fall Time | 6 ns |
| Height | 1.45 mm | Length | 2.9 mm |
| Product Type | MOSFET | Rise Time | 12 ns |
| Factory Pack Quantity | 3000 | Subcategory | MOSFETs |
| Transistor Type | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time | 13 ns |
| Typical Turn-On Delay Time | 6 ns | Width | 1.6 mm |
| Part # Aliases | SI2356DS-T1-BE3 |
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부품 포인트
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SI2356DS-T1-GE3 is an advanced power MOSFET chip developed by Vishay Siliconix. It offers low on-resistance and high current handling capability, making it suitable for various applications in power management and conversion systems. The chip is designed to improve efficiency and reduce power losses, enabling enhanced performance and compact device designs.
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Features
SI2356DS-T1-GE3 is a P-channel MOSFET transistor with a compact industry-standard SOT-23 package. It has a maximum drain-source voltage of 20V, continuous drain current of 3A, and low on-resistance. It is suitable for low-power switching applications, offering reliable performance, compact size, and ease of use. -
Pinout
The SI2356DS-T1-GE3 is a dual P-channel enhancement-mode transistor. It has a pin count of 6 pins. The function of this transistor is to control the flow of electrical current between the source and drain terminals, allowing for switching and amplification of electrical signals. -
Manufacturer
The manufacturer of the SI2356DS-T1-GE3 is Vishay Intertechnology, Inc. Vishay is an American company that specializes in the production and supply of discrete semiconductors and passive electronic components. It is a global leader in the industry, providing innovative solutions to a wide range of sectors, including automotive, telecommunications, consumer electronics, and industrial equipment. -
Application Field
The SI2356DS-T1-GE3 is a P-channel MOSFET transistor. It can be used in a variety of applications, such as power management, battery charging, load switching, and DC-DC converters. Its compact size and low on-resistance make it suitable for portable devices, automotive systems, and other small-scale electronics. -
Package
The SI2356DS-T1-GE3 chip has a package type of TSOP-6, a form of Surface Mount, and a size of 2.9mm x 1.6mm.
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