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IRF610PBF 48HRS

Trans MOSFET N-CH 200V 3.3A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Vishay Siliconix

제조업체부품 #: IRF610PBF

데이터 시트: IRF610PBF 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-220-3

RoHS 상태:

재고상태: 9902 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IRF610PBF 일반적인 설명

N-Channel 200 V 3.3A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220AB

특징

  • Dynamic dV/dt rating
  • Repetitive avalanche rated
  • Fast switching
  • Ease of paralleling
  • Simple drive requirements
  • 명세서

    매개변수 매개변수
    Package Tube Product Status Active
    FET Type N-Channel Technology MOSFET (Metal Oxide)
    Drain to Source Voltage (Vdss) 200 V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 3.3A (Tc)
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5Ohm @ 2A, 10V
    Vgs(th) (Max) @ Id 4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.2 nC @ 10 V
    Vgs (Max) ±20V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 140 pF @ 25 V
    Power Dissipation (Max) 36W (Tc) Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
    Mounting Type Through Hole Supplier Device Package TO-220AB
    Package / Case TO-220-3

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