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ST STB33N60M2

Name: STB33N60M2
Rating: 4.5 (6 reviews)

N-Channel 600 V 26A (Tc) 190W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

브랜드: STMicroelectronics, Inc

제조업체부품 #: STB33N60M2

데이터 시트: STB33N60M2 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: D2PAK

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 2,799 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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STB33N60M2 일반적인 설명

This device is an N-channel Power MOSFET developed using MDmesh M2 technology. Thanks to its strip layout and an improved vertical structure, the device exhibits low on-resistance and optimized switching characteristics, rendering it suitable for the most demanding high efficiency converters.

특징

Extremely low gate charge
Excellent output capacitance (C_OSS) profile
100% avalanche tested
Zener-protected

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer:	STMicroelectronics	Product Category:	MOSFET
RoHS:	Y	Technology:	Si
Mounting Style:	SMD/SMT	Package / Case:	TO-263-3
Number of Channels:	1 Channel	Transistor Polarity:	N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	600 V	Id - Continuous Drain Current:	26 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	125 mOhms	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	3 V
Vgs - Gate-Source Voltage:	25 V	Qg - Gate Charge:	45.5 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	190 W	Configuration:	Single
Channel Mode:	Enhancement	Tradename:	MDmesh
Packaging:	Reel	Series:	STB33N60M2
Transistor Type:	1 N-Channel	Brand:	STMicroelectronics
Fall Time:	9 ns	Product Type:	MOSFET
Rise Time:	9.6 ns	Factory Pack Quantity:	1000
Subcategory:	MOSFETs	Typical Turn-Off Delay Time:	109 ns
Typical Turn-On Delay Time:	16 ns	Unit Weight:	0.139332 oz
Tags	STB33N60, STB33, STB3, STB	feature-packaging	Tape and Reel
feature-rad-hard		feature-pin-count	3
feature-supplier-package	D2PAK	feature-standard-package-name1	TO-263
feature-cecc-qualified	No	feature-esd-protection
feature-escc-qualified		feature-military	No
feature-aec-qualified	No	feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive	No	feature-p-pap	No
feature-eccn-code	EAR99	feature-svhc	Yes
feature-svhc-exceeds-threshold	Yes

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

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부품 포인트

The STB33N60M2 is a power transistor chip designed for high-voltage applications. It features a low on-resistance and high current capability, making it suitable for power conversion and motor control circuits. The chip is built using advanced silicon technology, providing high reliability and efficient performance.
Equivalent

The equivalent products of the STB33N60M2 chip include STP33N60M2, STP30N10L, and STP30NF10L.
Features

The STB33N60M2 is a MOSFET transistor with a voltage rating of 600V and a current rating of 33A. It has low on-resistance, which allows for efficient switching in power applications. The transistor is designed for use in various types of electronic circuits, including motor drives, power supplies, and inverters.
Pinout

The STB33N60M2 is a power MOSFET transistor with a TO-263 package. It has 3 pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). It is designed for high voltage applications and power switching.
Manufacturer

The manufacturer of the STB33N60M2 is STMicroelectronics. It is a multinational semiconductor company that designs, manufactures, and markets a wide range of electronic components.
Application Field

The STB33N60M2 is a power MOSFET that is commonly used in applications such as switch mode power supplies, motor control circuits, and battery chargers. It is designed to handle high voltage and current levels, making it suitable for various industrial and automotive applications.
Package

The STB33N60M2 chip is available in a TO-247 package type, with a compact form and size. It is a power MOSFET device designed specifically for switch-mode power supply applications.