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ST MJD31CT4
TO-252 Bipolar Junction Transistor, NPN
브랜드: Stmicroelectronics
제조업체부품 #: MJD31CT4
데이터 시트: MJD31CT4 Datasheet (PDF)
패키지/케이스: DPAK
RoHS 상태:
재고상태: 2705 PC, 새로운 원본
상품 유형: 트랜지스터
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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*모든 가격은 USD 단위입니다.
| 수량 | 단가 | 추가 가격 |
|---|---|---|
| 1 | $1.773 | $1.773 |
| 10 | $1.534 | $15.340 |
| 30 | $1.385 | $41.550 |
| 100 | $1.229 | $122.900 |
| 500 | $1.160 | $580.000 |
| 1000 | $1.131 | $1131.000 |
In Stock:2705 PCS
MJD31CT4 일반적인 설명
The device is manufactured in planar technology with “base island” layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.
특징
- Surface-mounting TO-252 power package in tape and reel
- Complementary to the PNP type MJD32C
애플리케이션
- Audio amplifiers
- Switching regulators
- Linear regulators
- Power management circuits
- Motor control circuits
- DC-DC converters
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Operating Temp Min Celsius | -65.0 | Operating Temp Max Celsius | 150.0 |
| ECCN US | EAR99 | ECCN EU | NEC |
| Packing Type | Tape And Reel | RoHs compliant | Ecopack2 |
| Grade | Industrial |
배송
| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
|---|---|---|---|
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EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
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지불
| 지불 조건 | 핸드 수수료 | |
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포장
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단계1 :제품
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단계2 :진공 포장
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단계3 :정전기 방지 가방
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단계5 :포장 상자
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등가 부품
에 대한 MJD31CT4 구성 요소인 경우 이러한 교체 및 대체 부품을 고려할 수 있습니다.:
부품 번호
브랜드
패키지
설명
부품 번호 : MJD32CT4
브랜드 :
패키지 : TO-252-3
설명 : Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin(2+Tab) TO-252 T/R
부품 번호 : MJD2955T4
브랜드 :
패키지 :
설명 :
부품 번호 : MJW16018
브랜드 :
패키지 :
설명 :
부품 번호 : MJW21193G
브랜드 :
패키지 : TO-247
설명 : Trans GP BJT PNP 250V 16A 200000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
부품 번호 : 2SD2108
브랜드 :
패키지 :
설명 :
부품 번호 : 2SD2114
브랜드 :
패키지 :
설명 :
부품 번호 : 2SD2195
브랜드 :
패키지 :
설명 :
부품 번호 : TIP32CTU
브랜드 :
패키지 : TO-220
설명 : Trans GP BJT PNP 100V 3A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
부품 포인트
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The MJD31CT4 is a high voltage, NPN bipolar junction transistor (BJT) chip. It is designed for use in applications that require switching or amplification of high voltage signals. With a maximum collector-emitter voltage of 100V, a continuous collector current of 1A, and a power dissipation of 2.5W, this chip offers reliable performance in a compact package. It is commonly used in power supply circuits, motor control, and high voltage general-purpose applications.
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Equivalent
Some equivalent products of the MJD31CT4 chip include the MJD30CT4, MJD32CT4, and MJD33CT4. -
Features
MJD31CT4 is a transistor designed for high voltage switching applications. Its features include a collector current of 3A, a collector-emitter voltage of 100V, and a DC current gain of 40. It has a low saturation voltage, making it suitable for power amplifier and motor control circuits. -
Pinout
The MJD31CT4 is a transistor with three pins: the emitter, base, and collector. It is a NPN bipolar junction transistor used for amplification and switching applications. The emitter is typically connected to ground, the base controls the current flow, and the collector carries the amplified current. -
Manufacturer
The manufacturer of the MJD31CT4 is STMicroelectronics. It is a multinational semiconductor company specializing in the manufacturing and distribution of a wide range of semiconductors and integrated circuits. -
Application Field
The MJD31CT4, a bipolar power transistor, can be used in a variety of applications including motor control, inverters, welding equipment, power supplies, and general-purpose switching. It is suitable for high voltage and high current applications, making it a versatile choice in the field of power electronics. -
Package
The MJD31CT4 chip has a package type of SOT-32, a form of NPN Darlington transistor, and a size of 5.3mm x 6.7mm x 2.35mm.
데이터 시트 PDF
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