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IPB019N08N3G

Name: IPB019N08N3G
Rating: 4.5 (10 reviews)

High-power switching device for demanding applications

브랜드: Infineon Technologies

제조업체부품 #: IPB019N08N3G

데이터 시트: IPB019N08N3G 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-263-7,D²Pak(6Leads+Tab)

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 8,897 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IPB019N08N3G 일반적인 설명

N-Channel 80 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7

특징

Ideal for high frequency switching and sync. rec.
Optimized technology for motor drive applications.
Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
Very low on-resistance RDS(on)
Superior thermal resistance
N-channel - Logic level
100% avalanche tested
Pb-free plating; RoHS compliant
Qualified according to JEDEC1) for target application
Halogen-free according to IEC61249-2-21

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Series	OptiMOS™	Product Status	Active
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	80 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	180A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	3.5V @ 270µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	206 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	14200 pF @ 40 V
Power Dissipation (Max)	300W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	PG-TO263-7
Package / Case	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)

배송

	배송비	리드타임
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

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우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The IPB019N08N3G chip is a power MOSFET transistor designed specifically for automotive applications. It offers low on-resistance and high current capability, making it suitable for various power management functions, such as switch-mode power supplies and motor control. The chip's advanced technology enables efficient power handling and thermal performance, meeting the requirements of automotive systems.
Features

The IPB019N08N3G is a MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) power switch designed for automotive applications. It features a low on-resistance, high current capability, and fast switching performance. It also has a low gate charge and is capable of handling high-temperature environments, making it suitable for use in automotive powertrain, body, and safety systems.
Pinout

The IPB019N08N3G is a power MOSFET transistor with a TO-263 (D2PAK) package. It has 3 pins: Gate, Drain, and Source. The Gate pin controls the flow of current between the Drain and Source pins.
Manufacturer

The manufacturer of the IPB019N08N3G is Infineon Technologies. It is a global semiconductor company that specializes in providing solutions for a wide range of applications, including automotive, industrial, and power management.
Application Field

The IPB019N08N3G is commonly used in applications such as power supplies, motor control, and general-purpose switching. It is a low-voltage, N-channel power MOSFET with a high current handling capability, making it suitable for various electronic devices and equipment that require efficient power management and control.
Package

The IPB019N08N3G chip is packaged in a power-FLAT5x6 package form. It has a size less than 6 mm x 5.5 mm.