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IPD30N06S2L-23
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브랜드: Infineon Technologies
제조업체부품 #: IPD30N06S2L-23
데이터 시트: IPD30N06S2L-23 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-252-3,DPak(2Leads+Tab),SC-63
RoHS 상태:
재고상태: 7,745 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| 수량 | 단가 | 추가 가격 |
|---|---|---|
| 1 | $1.032 | $1.032 |
| 10 | $0.875 | $8.750 |
| 30 | $0.789 | $23.670 |
| 100 | $0.692 | $69.200 |
| 500 | $0.648 | $324.000 |
| 1000 | $0.630 | $630.000 |
재고: 7,745 PCS
IPD30N06S2L-23 일반적인 설명
N-Channel 55 V 30A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Series | OptiMOS™ | Product Status | Discontinued at Digi-Key |
| FET Type | N-Channel | Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 55 V | Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 30A (Tc) |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Rds On (Max) @ Id, Vgs | 23mOhm @ 22A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 50µA | Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1091 pF @ 25 V |
| Power Dissipation (Max) | 100W (Tc) | Operating Temperature | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | PG-TO252-3-11 |
| Package / Case | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
배송
| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
|---|---|---|---|
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지불
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돈 그램 | US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
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부품 포인트
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The IPD30N06S2L-23 is a power MOSFET transistor designed for high efficiency and low power dissipation in various electronic applications. This chip features a low on-resistance and high current capability, making it suitable for power management and switching applications in devices such as laptops, LED lighting, and motor control systems.
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Equivalent
The equivalent products of IPD30N06S2L-23 chip are IXFH30N60Q2, IRGS30B60KD, and STP30N06L. These are all power MOSFETs with similar characteristics and specifications that can be used as substitutes for the IPD30N06S2L-23 chip in various applications. -
Features
The IPD30N06S2L-23 is a Power MOSFET with a drain current of 74A, a drain source voltage of 60V, and a low RDS(on) of 10mΩ. It is suitable for high power applications due to its high current handling capacity and low on-resistance. -
Pinout
The IPD30N06S2L-23 is a 30V, N-channel power MOSFET with a TO-252 package. It has a pin count of 3 (gate, drain, source) and is typically used for switching applications due to its low on-state resistance and high current capability. -
Manufacturer
The manufacturer of the IPD30N06S2L-23 is Infineon Technologies. Infineon Technologies is a German semiconductor manufacturing company known for producing a wide range of products including power semiconductors, sensors, and microcontrollers. They focus on providing innovative solutions for a variety of industries such as automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The IPD30N06S2L-23 is typically used in applications requiring high efficiency and compactness, such as power supplies, motor control, and DC-DC converters. Its features make it suitable for a wide range of industrial and consumer electronics applications where power management and energy efficiency are critical. -
Package
The IPD30N06S2L-23 chip comes in a TO-252 (DPAK) package type, with a surface mount form, and a size of 6.7mm x 6.37mm x 1.4mm.
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