이미지는 참고용입니다. 제품 사양 보기
주문 금액이
$5000IPB048N15N5LFATMA1
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
브랜드: INFINEON TECHNOLOGIES AG
제조업체부품 #: IPB048N15N5LFATMA1
데이터 시트: IPB048N15N5LFATMA1 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-263-3
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
IPB048N15N5LFATMA1 일반적인 설명
Mosfet, N-Ch, 150V, 120A, 150Deg C, 313W; Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:150V; Continuous Drain Current Id:120A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:4.1V Rohs Compliant: Yes |Infineon IPB048N15N5LFATMA1
특징
Ideal for hot-swap and e-fuse applications
Very low on-resistance RDS(on)
Wide safe operating area SOA
N-channel; Normal level
100% Avalanche tested
Pb-free plating; RoHS compliant
Qualified according to JEDEC1) for target applications
Halogen-free according to IEC61249-2-21
애플리케이션
SWITCHING명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
| Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Package Description | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code | not_compliant | ECCN Code | EAR99 |
| Factory Lead Time | 53 Weeks, 1 Day | Samacsys Manufacturer | Infineon |
| Avalanche Energy Rating (Eas) | 30 mJ | Case Connection | DRAIN |
| Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | DS Breakdown Voltage-Min | 150 V |
| Drain Current-Max (ID) | 120 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.0048 Ω |
| FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Feedback Cap-Max (Crss) | 23 pF |
| JEDEC-95 Code | TO-263AB | JESD-30 Code | R-PSSO-G2 |
| JESD-609 Code | e3 | Moisture Sensitivity Level | 1 |
| Number of Elements | 1 | Number of Terminals | 2 |
| Operating Mode | ENHANCEMENT MODE | Operating Temperature-Max | 150 °C |
| Operating Temperature-Min | -55 °C | Package Body Material | PLASTIC/EPOXY |
| Package Shape | RECTANGULAR | Package Style | SMALL OUTLINE |
| Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
| Power Dissipation-Max (Abs) | 313 W | Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 480 A |
| Surface Mount | YES | Terminal Finish | TIN |
| Terminal Form | GULL WING | Terminal Position | SINGLE |
| Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 | Transistor Application | SWITCHING |
| Transistor Element Material | SILICON |
배송
| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
|---|---|---|---|
 |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
페덱스 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
 |
등기 항공 우편 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.
지불
| 지불 조건 | 핸드 수수료 | |
|---|---|---|
 |
은행 송금 | US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
 |
페이팔 | 4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다. |
 |
신용 카드 | 3.5% 서비스 수수료를 부과합니다. |
 |
웨스턴 유니언 | charge US.00 banking fee. |
 |
돈 그램 | US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
보증
1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.
2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.
포장
-
![제품]( "제품")
단계1 :제품
-
![진공 포장]( "진공 포장")
단계2 :진공 포장
-
![정전기 방지 가방]( "정전기 방지 가방")
단계3 :정전기 방지 가방
-
![개별 포장]( "개별 포장")
단계4 :개별 포장
-
![포장 상자]( "포장 상자")
단계5 :포장 상자
-
![바코드 배송 태그]( "바코드 배송 태그")
단계6 :바코드 배송 태그
모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.
외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.
우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.
모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.
부품 포인트
-
The IPB048N15N5LFATMA1 chip is a high-performance power MOSFET designed for a wide range of applications, including power management, motor control, and voltage regulation. With a low on-resistance and high efficiency, this chip is ideal for use in automotive and industrial settings where reliability and performance are critical. Its compact size and excellent thermal performance make it a popular choice for engineers looking to enhance their designs.
-
Equivalent
The equivalent products of IPB048N15N5LFATMA1 chip are Infineon IPP048N15N5 or IPB048N15N5. These chips are also MOSFETs with similar specifications and capabilities, and can be used as substitutes for the original chip in various applications. -
Features
- N-channel OptiMOS™ Power MOSFET - Low on-state resistance - 150 V drain-source voltage - 48 A continuous drain current - Suitable for use in high-power applications - Optimized for high frequency operation and low switching losses - Qualified according to AEC Q101 standard for automotive applications -
Pinout
The IPB048N15N5LFATMA1 is a MOSFET with a pin count of 3. The functions of the pins are as follows: Pin 1 is the Gate, Pin 2 is the Drain, and Pin 3 is the Source. This MOSFET is designed for use in power management applications. -
Manufacturer
The manufacturer of the IPB048N15N5LFATMA1 is Infineon Technologies AG, a German multinational semiconductor manufacturer. Infineon specializes in manufacturing a wide range of semiconductor solutions for automotive, industrial, and power electronics applications. -
Application Field
The IPB048N15N5LFATMA1 is primarily used in industrial applications such as power supplies, motor control, and inverters. It is also commonly used in automotive systems, including electric vehicles, charging infrastructure, and battery management systems. The high performance and reliability of this power MOSFET make it suitable for various high-power applications. -
Package
The IPB048N15N5LFATMA1 chip is in a TO-263-7 package, with a surface-mount form factor. It has dimensions of 6.6mm x 9.3mm x 2.5mm.
우리는 고품질 제품, 사려 깊은 서비스 및 판매 후 보증을 제공합니다.
-
![제품]( "제품")
우리는 풍부한 제품을 보유하고 있으며 귀하의 다양한 요구를 충족시킬 수 있습니다.
-
![quantity]( "quantity")
최소 주문 수량은 1개부터입니다.
-
![shipping]( "shipping")
최저 국제 배송비는 $0.00부터 시작됩니다
-
![보장하다]( "보장하다")
모든 제품에 대해 365일 품질 보증
