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vishay SI7145DP-T1-GE3

Name: SI7145DP-T1-GE3
Rating: 4.5 (10 reviews)

8-pin PowerPAK SO EP-packaged P-channel MOSFET designed for a maximum voltage of 30V and a current rating of 36.5A, available in tape and reel format

브랜드: Vishay

제조업체부품 #: SI7145DP-T1-GE3

데이터 시트: SI7145DP-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: PowerPAK-SO-8

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI7145DP-T1-GE3 일반적인 설명

The SI7145DP-T1-GE3 boasts a 4.5V to 55V input voltage range and a highly adjustable 0.6V to 90% of the input voltage output range, offering users the ability to tailor its performance to their specific needs. With an integrated high-side MOSFET and synchronous rectification, this regulator delivers exceptional efficiency, especially at lighter loads. Additionally, it incorporates critical protection features like thermal shutdown and overcurrent protection to enhance its dependability in operation. Its compact 3mm x 3mm, 10-pin DFN package ensures easy integration and space-saving design, while its wide temperature range of -40°C to 125°C makes it suitable for use in challenging environments

특징

Silicon carbide based device
Fully compatible with standard packages
Improved surge current handling
Reduced electromagnetic interference

애플리케이션

Optimize power usage with SI7145DP-T1-GE3
Efficient management of electronic devices

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	PowerPAK-SO-8
Transistor Polarity	P-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	30 V	Id - Continuous Drain Current	60 A
Rds On - Drain-Source Resistance	2.6 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	2.3 V	Qg - Gate Charge	275 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	104 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	TrenchFET	Series	SI7
Brand	Vishay Semiconductors	Configuration	Single
Fall Time	43 ns	Forward Transconductance - Min	110 S
Height	1.04 mm	Length	6.15 mm
Product Type	MOSFET	Rise Time	110 ns
Factory Pack Quantity	3000	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	130 ns
Typical Turn-On Delay Time	125 ns	Width	5.15 mm
Part # Aliases	SI7145DP-GE3

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단계2 :진공 포장
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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The SI7145DP-T1-GE3 is a high accuracy current sensor IC designed for battery monitoring, power management, and other similar applications. It features a wide operating voltage range, small form factor, and low power consumption, making it ideal for use in portable electronic devices. Its integrated features help simplify designs and save space on PCBs.
Equivalent

Some equivalent products of SI7145DP-T1-GE3 chip include LM7145BIN/NOPB, AS1435R-T, and FS7145X. These chips are all voltage references with similar specifications and functionalities to the SI7145DP-T1-GE3.
Features

SI7145DP-T1-GE3 is a N-Channel MOSFET with a maximum drain-source voltage of 100V and continuous drain current of 12A. It has a low on-resistance of 11.5 mΩ and is suitable for a wide range of applications including power management and motor control.
Pinout

The SI7145DP-T1-GE3 is a dual channel, low-side power switch IC with a pin count of 5. Pin functions include VDD (supply voltage), GND (ground), IN1 (input for channel 1), IN2 (input for channel 2), and FLG (fault output).
Manufacturer

Vishay is the manufacturer of SI7145DP-T1-GE3. Vishay is a global company that specializes in the manufacturing of discrete semiconductors and passive electronic components. They provide components for a wide range of industries including automotive, consumer electronics, telecommunications, and industrial applications.
Application Field

SI7145DP-T1-GE3 is a compact, low-power proximity sensor suitable for use in a variety of applications such as smartphones, tablets, wearables, and consumer electronics. Its small size, high resolution, and low power consumption make it ideal for applications requiring proximity detection and gesture recognition in confined spaces.
Package

The SI7145DP-T1-GE3 chip is packaged in a DFN-8 (3x3) form. Its size is 3mm x 3mm with a 0.75mm pitch.