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HGT1S20N60C3S9A

Name: HGT1S20N60C3S9A
Rating: 4.5 (10 reviews)

Product HGT1S20N60C3S9A is an N-Channel IGBT with a 45A, 600V rating

브랜드: Onsemi

제조업체부품 #: HGT1S20N60C3S9A

데이터 시트: HGT1S20N60C3S9A 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: D2PAK-3

RoHS 상태:

재고상태: 6,141 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single IGBTs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

가격

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수량	단가	추가 가격
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200	$2.754	$550.800
500	$2.657	$1328.500
800	$2.610	$2088.000

재고: 6,141 PCS

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HGT1S20N60C3S9A 일반적인 설명

In conclusion, the HGT1S20N60C3S9A is a high-quality IGBT module that delivers exceptional performance and reliability. Its advanced features, including a fast recovery diode and thermal management system, make it a standout choice for high-power applications. Upgrade your power systems with the HGT1S20N60C3S9A and experience unmatched efficiency and performance

특징

Maximum Junction Operating Temperature: 150°C
Operating Voltage Range: 12V to 15V
Pulse Width: 10us to 100ms

애플리케이션

For electronic devices
Used in industrial machines
Essential for power systems
Ideal for energy-efficient solutions
Key component for electrical equipment
Versatile application in various industries

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Status	Last Shipments	Compliance	PbAHP
Package Type	D2PAK-3 / TO-263-2	Case Outline	418AJ
MSL Type	1	MSL Temp (°C)	260
Container Type	REEL	Container Qty.	800
ON Target	N	V(BR)CES Typ (V)	600
IC Max (A)	20	VCE(sat) Typ (V)	1.4
Co-Packaged Diode	No

배송

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포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The HGT1S20N60C3S9A chip is a power semiconductor device designed for high-speed switching applications. It features low on-state voltage, low gate charge, and high thermal performance, making it suitable for efficient and reliable power conversion in various electronics applications.
Equivalent

Equivalent products of HGT1S20N60C3S9A chip are HGT1S20N60C3S and HGT1S20N60C3S9. These products are part of the HGT1S20N60C3 series and have similar specifications and features, making them suitable alternatives for the HGT1S20N60C3S9A chip.
Features

1. Gate charge of 20nC 2. Continuous drain current of 60A 3. Low on-state voltage of 3.9V 4. Switching speed of 9A/ns 5. High reliability and robustness 6. Suitable for high-power applications such as motor drives and power supplies.
Pinout

The HGT1S20N60C3S9A is a 20-pin IGBT module primarily used for power switching applications. It features high-speed switching capabilities, low power loss characteristics, and a continuous collector current of 20A. The pins include gate drive, emitter, collector, and various power supply connections.
Manufacturer

The manufacturer of HGT1S20N60C3S9A is Infineon Technologies AG. Infineon Technologies is a German semiconductor manufacturing company that designs, manufactures, and markets a wide range of semiconductor solutions used in various applications such as automotive, industrial, and power electronics.
Application Field

The HGT1S20N60C3S9A is a high-voltage IGBT designed for applications in induction heating, UPS systems, motor drives, and power supplies. Its high voltage and current ratings make it suitable for high-power and high-frequency switching applications, making it ideal for industrial and commercial applications requiring efficient power conversion.
Package

The HGT1S20N60C3S9A chip comes in a TO-263-3 package type, is in a single form, and has a size of 6.7mm x 7.0mm x 3.1mm.