이 웹사이트는 쿠키를 사용합니다. 이 사이트를 이용함으로써 귀하는 쿠키 사용에 동의하게 됩니다. 자세한 내용은 다음을 참조하세요. 개인 정보 정책.

이미지는 참고용입니다. 제품 사양 보기

주문 금액이

$5000

받으세요 $50 할인을 !

HGTG5N120BND

Name: HGTG5N120BND
Brand: Onsemi
Rating: 4.8 (10 reviews)

Three-pin (with three tabs) TO-247 tube containing a 1200V N-channel Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) chip rated for 21A current

브랜드: Onsemi

제조업체부품 #: HGTG5N120BND

데이터 시트: HGTG5N120BND 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-247-3

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single IGBTs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

가격

*모든 가격은 USD 단위입니다.

수량	단가	추가 가격
1	$2.818	$2.818
10	$2.466	$24.660
30	$2.022	$60.660
90	$1.810	$162.900
510	$1.712	$873.120
1200	$1.669	$2002.800

재고: 9,458 PCS

- +

빠른 견적

다음에 대한 RFQ를 제출해 주십시오. HGTG5N120BND 또는 우리에게 이메일을 보내: 이메일: [email protected], 12시간 이내에 연락드리겠습니다.

수량^*

이메일^*

담당자 이름^*

회사

주목

HGTG5N120BND 일반적인 설명

The HGTG5N120BND product is a cutting-edge Non-Punch Through (NPT) IGBT design that caters to a variety of high voltage switching applications. With a focus on minimizing conduction losses, this IGBT is the perfect choice for devices such as UPS systems, solar inverters, motor controls, and power supplies. Its versatility makes it a valuable component in modern electronics where energy efficiency is key

특징

High Surge Immunity
Wide Temperature Range
Low Dropout Voltage
Small Package Size

애플리케이션

Backup Power Source
Energy Storage Solution
Electrical Safety Equipment

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	IGBT Transistors	RoHS	Details
Technology	Si	Package / Case	TO-247-3
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	1.2 kV	Collector-Emitter Saturation Voltage	2.45 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	21 A
Pd - Power Dissipation	167 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Series	HGTG5N120BND
Brand	onsemi / Fairchild	Continuous Collector Current	21 A
Continuous Collector Current Ic Max	21 A	Gate-Emitter Leakage Current	+/- 250 nA
Height	20.82 mm	Length	15.87 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	450
Subcategory	IGBTs	Width	4.82 mm
Part # Aliases	HGTG5N120BND_NL

배송

	배송비	리드타임
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
등기 항공 우편	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날

처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.

지불

지불 조건		핸드 수수료
	은행 송금	US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다.
	페이팔	4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다.
	신용 카드	3.5% 서비스 수수료를 부과합니다.
	웨스턴 유니언	charge US.00 banking fee.
	돈 그램	US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다.

보증

1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.

2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.

포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The HGTG5N120BND is a high power, high voltage IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chip designed for use in various power electronic applications such as motor drives, power supplies, and inverters. It offers a low on-state voltage drop and high switching speed, making it suitable for high-performance and energy-efficient devices.
Equivalent

The equivalent products of HGTG5N120BND chip are Infineon's IGW50N65H5, STMicroelectronics STGWT40H65DF2, and Fairchild Semiconductor's FGW15N120HS. These chips are all high-power IGBTs with similar specifications and applications in power electronics.
Features

1. HGTG5N120BND is a 1200V, 45A IGBT power module. 2. It has a low top-side collector-emitter voltage of 2.2V. 3. Features industry-standard footprint and package design for easy integration. 4. Suitable for high-power applications such as motor control and power supplies.
Pinout

HGTG5N120BND is a 3-pin IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) with a pin count of 3. The functions of the pins are: Pin 1 (Emitter), Pin 2 (Gate), and Pin 3 (Collector). It is used for high power switching applications.
Manufacturer

HGTG5N120BND is manufactured by Fairchild Semiconductor, an American semiconductor company that specializes in power and signal path products. Fairchild Semiconductor was founded in 1957 and is headquartered in San Jose, California. They are known for their innovation in power management technologies for consumer, industrial, and automotive applications.
Application Field

HGTG5N120BND is a high voltage, fast switching IGBT designed for a wide range of applications including induction heating, welding, motor control, and power supplies. It is commonly used in inverters, converters, and other high power electronic systems that require efficient and reliable switching performance.
Package

The HGTG5N120BND chip is a IGBT transistor in TO-247 package type, with a form of Molded Plastic, and a size of 22.1mm x 5.2mm x 38.94mm.