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HGTG30N60A4D 48HRS

600V, SMPS IGBT

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Onsemi

제조업체부품 #: HGTG30N60A4D

데이터 시트: HGTG30N60A4D 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-247-3

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single IGBTs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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HGTG30N60A4D 일반적인 설명

The HGTG30N60A4D is a cutting-edge MOS gated high voltage switching device that represents the pinnacle of technological innovation in the field. By seamlessly blending the advantageous characteristics of MOSFETs and bipolar transistors, this device offers unparalleled performance and efficiency. With its high input impedance borrowed from MOSFETs and low on-state conduction loss reminiscent of bipolar transistors, the HGTG30N60A4D stands out as a game-changer in the realm of power electronics. Whether operating at 25°C or 150°C, this IGBT maintains a remarkably low on-state voltage drop, ensuring consistent performance across a wide range of temperatures

특징

  • Silicon-Carbide Based
  • Low Loss Operation
  • Rapid Recovery Capability
  • Small Form Factor

애플리케이션

  • Ultra Thin Laptop Cases

명세서

매개변수 매개변수
Product Category IGBT Transistors RoHS Details
REACH Details Technology Si
Package / Case TO-247-3 Mounting Style Through Hole
Configuration Single Collector- Emitter Voltage VCEO Max 600 V
Collector-Emitter Saturation Voltage 1.8 V Maximum Gate Emitter Voltage - 20 V, 20 V
Continuous Collector Current at 25 C 70 A Pd - Power Dissipation 463 W
Minimum Operating Temperature - 55 C Maximum Operating Temperature + 150 C
Series HGTG30N60A4D Brand onsemi / Fairchild
Continuous Collector Current 75 A Continuous Collector Current Ic Max 75 A
Gate-Emitter Leakage Current +/- 250 nA Height 20.82 mm
Length 15.87 mm Product Type IGBT Transistors
Factory Pack Quantity 450 Subcategory IGBTs
Width 4.82 mm Part # Aliases HGTG30N60A4D_NL
Unit Weight 0.225401 oz

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부품 포인트

  • HGTG30N60A4D is a chip that belongs to the IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) family. It is specifically designed for high-voltage applications and offers low conduction and switching losses. HGTG30N60A4D chip enables efficient power conversion in various electronic devices, including inverters, motor drives, and power supplies. It provides reliable performance with excellent thermal characteristics, making it suitable for demanding applications.
  • Equivalent

    Some equivalent products of the HGTG30N60A4D chip include the IRGPS60B120KDPbF, IGBT30N60A4H, and the HGTP30N60AFD. These chips provide similar functionality and can be used as substitutes for the HGTG30N60A4D in various applications.
  • Features

    The HGTG30N60A4D is a high voltage IGBT designed for use in switching applications. It has a current rating of 30A, a voltage rating of 600V, and a low saturation voltage. It offers low on-state losses, fast switching speeds, and is suitable for high frequency operation. It also includes built-in thermal protection and is housed in a TO-247 package.
  • Pinout

    The HGTG30N60A4D is a 30A IGBT power module. It has 7 pins with the following functions: 1. G: Gate control 2. G: Gate control 3. C: Collector of the IGBT 4. E: Emitter of the IGBT 5. F: Collector of the free-wheeling diode 6. F: Collector of the free-wheeling diode 7. E: Emitter of the free-wheeling diode
  • Manufacturer

    The manufacturer of the HGTG30N60A4D is Infineon Technologies AG. It is a German semiconductor company that produces a wide range of products, including power semiconductors, microcontrollers, sensors, and automotive electronics.
  • Application Field

    The HGTG30N60A4D is a high voltage transistor commonly used in various power applications such as motor control, power supplies, and inverters. Its robust design and ability to handle high voltage and current make it suitable for demanding industrial and automotive applications.
  • Package

    The HGTG30N60A4D chip is available in a TO-247 package type, with a transistor form. As for the size, it follows the industry standard TO-247 dimensions, which measure approximately 26.16mm x 15.9mm x 5.5mm.

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