주문 금액이
$5000
HGTP20N60A4
IGBT for high-voltage switch-mode power supply applications
![ISO14001](/img/about/iso14001.png)
![ISO9001](/img/about/iso9001.png)
![DUNS](/img/about/duns.png)
브랜드: Onsemi
제조업체부품 #: HGTP20N60A4
데이터 시트: HGTP20N60A4 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-220-3
RoHS 상태:
재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single IGBTs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
0
1
*모든 가격은 USD 단위입니다.
수량 | 단가 | 추가 가격 |
---|---|---|
1 | $1.030 | $1.030 |
200 | $0.400 | $80.000 |
500 | $0.385 | $192.500 |
800 | $0.379 | $303.200 |
재고: 9,458 PCS
HGTP20N60A4 일반적인 설명
Elevate your high voltage switching applications with the HGTP20N60A4, a game-changing IGBT that revolutionizes performance standards. By integrating the best attributes of MOSFETs and bipolar transistors, this device offers unmatched efficiency and reliability, making it an indispensable component for demanding industrial applications. Its optimized design ensures rapid switching speeds, making it a preferred choice for UPS systems and welding equipment where efficiency and precision are non-negotiable. Trust the HGTP20N60A4 to deliver unparalleled performance and durability in high frequency applications
![](/files/uploads/product/b/9ffa9fd6abfb46daa7462f3d80c0c826.webp)
특징
- High-Speed Switching : tD = 15ns @ IC = 40A
- Low Input Current : IIn = 1.5μA at TJ = 125°C
- Fast Reverse Recovery Time : trr = 25ns at IC = 30A
- Low Inductive Noise : LIn = 100nH @ TJ = 125°C
- High-Power Density : PD = 2.5W/cm² at TC = 110°C
- Ultra-Low Crosstalk : CT = -60 dB @ f = 1 kHz, VI = 10V
애플리케이션
- Transportation
- Telecommunications
- Energy
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Product Category | IGBT Transistors | RoHS | Details |
Technology | Si | Package / Case | TO-220-3 |
Mounting Style | Through Hole | Configuration | Single |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max | 600 V | Collector-Emitter Saturation Voltage | 1.8 V |
Maximum Gate Emitter Voltage | - 20 V, + 20 V | Continuous Collector Current at 25 C | 70 A |
Pd - Power Dissipation | 290 W | Minimum Operating Temperature | - 55 C |
Maximum Operating Temperature | + 150 C | Series | HGTP20N60A4 |
Brand | onsemi / Fairchild | Continuous Collector Current | 70 A |
Continuous Collector Current Ic Max | 70 A | Gate-Emitter Leakage Current | +/- 250 nA |
Height | 9.4 mm | Length | 10.67 mm |
Product Type | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity | 800 |
Subcategory | IGBTs | Width | 4.83 mm |
Part # Aliases | HGTP20N60A4_NL |
배송
배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
---|---|---|---|
![]() |
DHL | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
![]() |
페덱스 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
![]() |
UPS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
![]() |
TNT | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
![]() |
EMS | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
![]() |
등기 항공 우편 | $20.00-$40.00 (0.50 KG) | 2-5 날 |
처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.
지불
지불 조건 | 핸드 수수료 | |
---|---|---|
![]() |
은행 송금 | US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
![]() |
페이팔 | 4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다. |
![]() |
신용 카드 | 3.5% 서비스 수수료를 부과합니다. |
![]() |
웨스턴 유니언 | charge US.00 banking fee. |
![]() |
돈 그램 | US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다. |
보증
1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.
2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.
포장
-
단계1 :제품
-
단계2 :진공 포장
-
단계3 :정전기 방지 가방
-
단계4 :개별 포장
-
단계5 :포장 상자
-
단계6 :바코드 배송 태그
모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.
외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.
우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.
모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.
부품 포인트
-
The HGTP20N60A4 is a high-speed IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chip commonly used in power electronics applications. It offers low conduction losses and high switching speeds, making it suitable for applications like motor drives, inverters, and power supplies. With a voltage rating of 600V and a current rating of 40A, it provides efficient power switching in various industrial and automotive systems.
-
Equivalent
Possible equivalent products of HGTP20N60A4 chip are IRG7PH46U and IRGP50B60PD1. These products have similar specifications and can be used as substitutes for HGTP20N60A4 in various applications. -
Features
The HGTP20N60A4 is a MOSFET transistor with a voltage rating of 600V, a current rating of 40A, and a low on-resistance. It features a fast switching speed, making it suitable for high-frequency applications such as power supplies and motor control. -
Pinout
The HGTP20N60A4 is a MOSFET with 3 pins: gate (G), drain (D), and source (S). It functions as a high-voltage, high-speed switch in power electronics applications. -
Manufacturer
The HGTP20N60A4 is manufactured by Fairchild Semiconductor, which produces power management and semiconductor devices. Fairchild Semiconductor is a global company specializing in various electronic components, including MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors), integrated circuits, and power modules for diverse applications in industries like automotive, industrial, and consumer electronics. -
Application Field
The HGTP20N60A4 is commonly used in high-power switching applications such as power supplies, motor drives, and induction heating systems. Its high voltage and current ratings make it suitable for these demanding tasks, while its fast switching characteristics contribute to efficient operation. -
Package
The HGTP20N60A4 chip is a TO-220 package type, with a through-hole form factor, and its size is approximately 10.5mm x 15.5mm x 4.5mm.
우리는 고품질 제품, 사려 깊은 서비스 및 판매 후 보증을 제공합니다.
-
우리는 풍부한 제품을 보유하고 있으며 귀하의 다양한 요구를 충족시킬 수 있습니다.
-
최소 주문 수량은 1개부터입니다.
-
최저 국제 배송비는 $0.00부터 시작됩니다
-
모든 제품에 대해 365일 품질 보증