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BSS123-7-F

Name: BSS123-7-F
Rating: 4.5 (10 reviews)

N-Channel 100 V 6 Ohm Surface Mount Enhancement Mode Transistor SOT-23-3

브랜드: DIODES INC

제조업체부품 #: BSS123-7-F

데이터 시트: BSS123-7-F 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT-23-3

RoHS 상태:

재고상태: 6,633 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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200	$0.020	$4.000
600	$0.018	$10.800
3000	$0.017	$51.000
9000	$0.016	$144.000
21000	$0.015	$315.000

재고: 6,633 PCS

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BSS123-7-F 일반적인 설명

The BSS123-7-F MOSFET is a high-performance N-channel transistor suitable for a wide range of applications. With a continuous drain current of 170mA and a drain source voltage of 100V, this MOSFET offers efficient power management capabilities. The on resistance of 6ohm and threshold voltage of 1.4V make it ideal for use in circuit designs requiring low power consumption and fast response times. Its SOT-23 packaging with 3 pins offers easy integration into circuit boards, while the operating temperature range of -55°C to +150°C ensures reliable performance in various environmental conditions

특징

Low Gate Threshold Voltage
Low Input Capacitance
Fast Switching Speed
Low Input/Output Leakage
High Drain-Source Voltage Rating
Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)
Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)
Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability
PPAP Capable (Note 4)

애플리케이션

SWITCHING

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Pbfree Code	Yes	Rohs Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Ihs Manufacturer	DIODES INC
Package Description	SOT-23, 3 PIN	Pin Count	3
Reach Compliance Code	compliant	ECCN Code	EAR99
Factory Lead Time	84 Weeks	Samacsys Manufacturer	Diodes Inc.
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	DS Breakdown Voltage-Min	100 V
Drain Current-Max (ID)	0.17 A	Drain-source On Resistance-Max	6 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	Feedback Cap-Max (Crss)	6 pF
JESD-30 Code	R-PDSO-G3	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Operating Temperature-Min	-55 °C
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY	Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Power Dissipation-Max (Abs)	0.3 W
Qualification Status	Not Qualified	Surface Mount	YES
Terminal Finish	MATTE TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	DUAL	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING

배송

	배송비	리드타임
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페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The BSS123-7-F is a N-channel MOSFET chip primarily used for switching applications in low voltage circuits. It has a maximum drain-source voltage of 100V and a continuous drain current of 170mA. The chip is commonly used in applications such as power management, battery charging, and LED lighting control.
Equivalent

The equivalent products of the BSS123-7-F chip are BSS123LT1G, BSS123 E6327, BSS123LT1.
Features

1. N-channel enhancement mode MOSFET 2. Low on-resistance (RDS(ON) = 2.5 ohms) 3. Low threshold voltage (Vgs(th) = 1 to 2 V) 4. Small SOT-23 surface mount package 5. Suitable for low power applications such as load switch, LED drive, and level shifting circuits.
Pinout

The BSS123-7-F is a N-channel MOSFET transistor with a SOT-23 package. It has three pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). Its function includes switching and amplification in electronic circuits, commonly used in applications like power management and signal processing.
Manufacturer

The BSS123-7-F is manufactured by ON Semiconductor, a leading American semiconductor company. ON Semiconductor specializes in power and signal management, energy-efficient semiconductors, and manufacturing solutions for industries such as automotive, communications, computing, consumer, industrial, and medical.
Application Field

The BSS123-7-F is commonly used in applications such as load switching, level shifting, and signal routing in portable devices, power management circuits, and low-voltage applications. It is also suitable for use in battery-powered systems, DC-DC converters, and switching regulators due to its low threshold voltage and high current handling capabilities.
Package

The BSS123-7-F chip comes in a SOT-23 package type, with a single P-channel MOSFET transistor. It has a form factor of surface mount, with dimensions of 2.9mm x 1.3mm x 1.0mm. The chip size is 3.1mm².