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$5000CSD23202W10
Advanced power management for today's devices: reliable and robust
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브랜드: TEXAS INSTRUMENTS INC
제조업체부품 #: CSD23202W10
데이터 시트: CSD23202W10 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: DSBGA-4
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
CSD23202W10 일반적인 설명
Introducing the innovative CSD23202W10, a cutting-edge 12V power device engineered for maximum performance. With a mere 44mΩ on-resistance, this compact wonder boasts unparalleled efficiency in its 1mm x 1mm frame. Its superior thermal properties ensure optimal heat dissipation, while its ultra-low profile sets the standard for space-saving design
특징
- Fast Turnaround Time
- Robust Design and Testing
- 100% Functional Test
- Low Power Consumption
- High Reliability and Yield
- SMT and DIP Package Options
애플리케이션
SWITCHING명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Source Content uid | CSD23202W10 | Pbfree Code | Yes |
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Ihs Manufacturer | TEXAS INSTRUMENTS INC | Package Description | GRID ARRAY, S-PBGA-B4 |
Reach Compliance Code | compliant | ECCN Code | EAR99 |
HTS Code | 8541.29.00.95 | Samacsys Manufacturer | Texas Instruments |
Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR | DS Breakdown Voltage-Min | 12 V |
Drain Current-Max (ID) | 2.2 A | Drain-source On Resistance-Max | 0.123 Ω |
FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | Feedback Cap-Max (Crss) | 37 pF |
JESD-30 Code | S-PBGA-B4 | JESD-609 Code | e1 |
Moisture Sensitivity Level | 1 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 4 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Operating Temperature-Max | 150 °C | Operating Temperature-Min | -55 °C |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | SQUARE |
Package Style | GRID ARRAY | Peak Reflow Temperature (Cel) | 260 |
Polarity/Channel Type | P-CHANNEL | Surface Mount | YES |
Terminal Finish | TIN SILVER COPPER | Terminal Form | BALL |
Terminal Position | BOTTOM | Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) | 30 |
Transistor Application | SWITCHING | Transistor Element Material | SILICON |
Manufacturer | Texas Instruments | Product Category | MOSFET |
RoHS | Details | Technology | Si |
Mounting Style | SMD/SMT | Package / Case | DSBGA-4 |
Transistor Polarity | P-Channel | Number of Channels | 1 Channel |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 12 V | Id - Continuous Drain Current | 2.2 A |
Rds On - Drain-Source Resistance | 92 mOhms | Vgs - Gate-Source Voltage | - 6 V, + 6 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 900 mV | Qg - Gate Charge | 3.8 nC |
Minimum Operating Temperature | - 55 C | Maximum Operating Temperature | + 150 C |
Pd - Power Dissipation | 1 W | Channel Mode | Enhancement |
Tradename | NexFET | Series | CSD23202W10 |
Brand | Texas Instruments | Fall Time | 21 ns |
Forward Transconductance - Min | 5.6 S | Height | 0.62 mm |
Length | 1 mm | Product Type | MOSFET |
Rise Time | 4 ns | Factory Pack Quantity | 3000 |
Subcategory | MOSFETs | Transistor Type | 1 P-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time | 58 ns | Typical Turn-On Delay Time | 9 ns |
Width | 1 mm |
배송
배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
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