이 웹사이트는 쿠키를 사용합니다. 이 사이트를 이용함으로써 귀하는 쿠키 사용에 동의하게 됩니다. 자세한 내용은 다음을 참조하세요. 개인 정보 정책.

이미지는 참고용입니다. 제품 사양 보기

주문 금액이

$5000

받으세요 $50 할인을 !

BSS139H6327XTSA1

Name: BSS139H6327XTSA1
Rating: 4.5 (10 reviews)

Trans MOSFET N-CH 250V 0.1A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R

브랜드: Infineon Technologies

제조업체부품 #: BSS139H6327XTSA1

데이터 시트: BSS139H6327XTSA1 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

RoHS 상태:

재고상태: 9,085 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

가격

*모든 가격은 USD 단위입니다.

수량	단가	추가 가격
5	$0.285	$1.425
50	$0.235	$11.750
150	$0.213	$31.950
500	$0.187	$93.500
3000	$0.158	$474.000
6000	$0.151	$906.000

재고: 9,085 PCS

- +

빠른 견적

다음에 대한 RFQ를 제출해 주십시오. BSS139H6327XTSA1 또는 우리에게 이메일을 보내: 이메일: [email protected], 12시간 이내에 연락드리겠습니다.

수량^*

이메일^*

담당자 이름^*

회사

주목

BSS139H6327XTSA1 일반적인 설명

Infineon Technologies' BSS139H6327XTSA1 is a top-of-the-line N-channel FET, tailor-made for low voltage, high-speed switching applications. Boasting a maximum drain-source voltage of 250V and a continuous drain current of 220mA, this FET is engineered to deliver optimal performance in demanding electronic systems. Notably, its low threshold voltage of 1.5V and low on-state resistance of 3.5 ohms contribute to reduced power losses and enhanced efficiency. Furthermore, its compact SOT-23 surface-mount package makes it an ideal choice for space-constrained designs, while its RoHS compliance underscores its commitment to environmental responsibility. Versatile and reliable, the BSS139H6327XTSA1 is capable of operating over a wide temperature range, ensuring consistent performance in diverse environments

특징

Advanced thermal management
Increase power density
Improved power conversion efficiency
Enhanced safety features

애플리케이션

For mobile use
Industrial grade
Compact design
Multiple functions
High efficiency
Reliable performance

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Series	SIPMOS®	Product Status	Active
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	250 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	100mA (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	0V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	14Ohm @ 100µA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 56µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	3.5 nC @ 5 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	76 pF @ 25 V
FET Feature	Depletion Mode	Power Dissipation (Max)	360mW (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-SOT23	Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Base Product Number	BSS139

배송

	배송비	리드타임
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
등기 항공 우편	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날

처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.

지불

지불 조건		핸드 수수료
	은행 송금	US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다.
	페이팔	4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다.
	신용 카드	3.5% 서비스 수수료를 부과합니다.
	웨스턴 유니언	charge US.00 banking fee.
	돈 그램	US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다.

보증

1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.

2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.

포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The BSS139H6327XTSA1 is a N-channel MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) chip that is commonly used in power management and switching applications. It has a maximum voltage rating of 250V and a continuous drain current of 0.21A. The chip is designed for high-speed switching and low power consumption, making it suitable for a wide range of electronic devices and applications.
Equivalent

The equivalent products of BSS139H6327XTSA1 chip are BSS139H6327E6327, BSS139H6327UMA1, BSS139H6327UMA1XTSA1, BSS139HXUMA1, BSS139HXUMA1XTSA1, BSS139L6327E6327, BSS139L6327UMA1, BSS139L6327UMA1XTSA1, and BSS139L6327XTSA1.
Features

BSS139H6327XTSA1 is a N-channel enhancement mode MOSFET with a maximum drain-source voltage of 250V, continuous drain current of 420 mA, low threshold voltage, and low on-resistance. It is suitable for use in high-voltage, high-speed switching applications.
Pinout

The BSS139H6327XTSA1 is a N-channel MOSFET transistor with a pin count of 3. The pins are Gate (G), Drain (D), and Source (S). The function of this transistor is to control the flow of current between the Drain and Source pins through the application of voltage on the Gate pin.
Manufacturer

Infineon Technologies is the manufacturer of the BSS139H6327XTSA1. It is a multinational company that specializes in semiconductor solutions, providing a wide range of products such as power semiconductors, sensors, and security solutions for various industries including automotive, industrial, and consumer electronics.
Application Field

The BSS139H6327XTSA1 is a small signal N-channel MOSFET transistor commonly used in electronic applications such as switching circuits, voltage converters, power management systems, and amplifiers. Its high-speed switching and low on-resistance make it suitable for a wide range of electronic devices and systems.
Package

The BSS139H6327XTSA1 chip is a surface mount package with a SOT-23 form. It has a size of 2.9mm x 1.3mm and a height of 1.3mm.