이 웹사이트는 쿠키를 사용합니다. 이 사이트를 이용함으로써 귀하는 쿠키 사용에 동의하게 됩니다. 자세한 내용은 다음을 참조하세요. 개인 정보 정책.

이미지는 참고용입니다. 제품 사양 보기

주문 금액이

$5000

받으세요 $50 할인을 !

CSD17556Q5B

Name: CSD17556Q5B
Brand: TEXAS INSTRUMENTS INC
Rating: 4.8 (10 reviews)

N-Channel 30 V 34A (Ta), 100A (Tc) 3.1W (Ta), 191W (Tc) Surface Mount 8-VSON-CLIP (5x6)

브랜드: TEXAS INSTRUMENTS INC

제조업체부품 #: CSD17556Q5B

데이터 시트: CSD17556Q5B 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: VSON-CLIP (DNK)-8

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 7,128 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

빠른 견적

다음에 대한 RFQ를 제출해 주십시오. CSD17556Q5B 또는 우리에게 이메일을 보내: 이메일: [email protected], 12시간 이내에 연락드리겠습니다.

수량^*

이메일^*

담당자 이름^*

회사

주목

CSD17556Q5B 일반적인 설명

Meet the CSD17556Q5B, a cutting-edge power MOSFET that sets new standards for efficiency and power density. With a voltage rating of 30V and an on-resistance of only 1.2 milliohms, this device is tailored for high-performance synchronous rectification and power conversion tasks. Its compact 5mm x 6mm dimensions make it a versatile choice for applications where space is limited, while its NexFET™ technology guarantees minimal power dissipation and maximum energy savings

특징

Robust and Durable Construction Design
Low EMI and RFI Interference Generation
Autoranging and Anti-Static Properties Ensured
High Reliability and MTBF Performance Guaranteed
Compact Size for Easy Handling and Storage
Suitable for Commercial and Industrial Applications

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Source Content uid	CSD17556Q5B	Pbfree Code	Yes
Rohs Code	No	Part Life Cycle Code	Active
Ihs Manufacturer	TEXAS INSTRUMENTS INC	Package Description	SON-8
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.29.00.95	Samacsys Manufacturer	Texas Instruments
Additional Feature	AVALANCHE RATED	Avalanche Energy Rating (Eas)	500 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	30 V	Drain Current-Max (ID)	34 A
Drain-source On Resistance-Max	0.0018 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)	88 pF	JESD-30 Code	R-PDSO-N8
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	8
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Operating Temperature-Max	150 °C
Operating Temperature-Min	-55 °C	Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR	Package Style	SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs)	191 W	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	400 A
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	NO LEAD	Terminal Position	DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

배송

	배송비	리드타임
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
등기 항공 우편	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날

처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.

지불

지불 조건		핸드 수수료
	은행 송금	US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다.
	페이팔	4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다.
	신용 카드	3.5% 서비스 수수료를 부과합니다.
	웨스턴 유니언	charge US.00 banking fee.
	돈 그램	US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다.

보증

1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.

2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.

포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The CSD17556Q5B is a power management and protection chip designed for driving MOSFETs in applications such as motor control, DC-DC converters, and high-speed switching. It features overcurrent and overvoltage protection, and supports PWM and SPI control interfaces. The chip is suitable for a wide range of industrial and automotive applications.
Equivalent

The equivalent products of CSD17556Q5B chip include CSD17556Q5A, CSD17556Q5, and CSD17556Q5AT. These chips are all N-channel NexFET Power MOSFETs with similar specifications and features, making them suitable substitutes for each other in various applications.
Features

CSD17556Q5B features a 1700V, 67 mΩ silicon carbide power MOSFET with fast switching speeds, high temperature operation capability, and low on-resistance. It is designed for use in high voltage, high frequency power electronic applications suchsource solid-state transformer, electric vehicle inverters, and renewable energy systems.
Pinout

The CSD17556Q5B is a 8-pin dual N-channel NexFET Power MOSFET with a function for high-side and low-side synchronous buck applications. It features a pin count of 8, with pins for voltage supply, ground, gate control, and source and drain connections for each MOSFET.
Manufacturer

CSD17556Q5B is manufactured by Texas Instruments (TI), an American semiconductor company specializing in the design and production of analog and embedded processing chips for various industries including automotive, communications, and industrial applications. TI is known for its high-performance and reliable products used in a wide range of electronic devices.
Application Field

The CSD17556Q5B is commonly used in high power RF amplifier applications, including base stations, radar systems, and industrial heating equipment. It is also suitable for use in medical equipment, aerospace applications, and other high-frequency power amplifier designs requiring high efficiency and reliability.
Package

The CSD17556Q5B chip is a Power Stage package type, in the form of a Surface Mount Device (SMD), and comes in a size of 47.8 mm x 23.8 mm.