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CSD13383F4

Name: CSD13383F4
Brand: TEXAS INSTRUMENTS INC
Rating: 4.8 (10 reviews)

Reliable and efficient power conversion made possible by innovative NexFET desig

브랜드: TEXAS INSTRUMENTS INC

제조업체부품 #: CSD13383F4

데이터 시트: CSD13383F4 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: PICOSTAR (YJC)-3

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 6,473 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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CSD13383F4 일반적인 설명

This 37 mΩ, 12 V N-channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.

특징

Precise temperature control
High-speed signal transmission
Advanced noise reduction technology

애플리케이션

SWITCHING

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Source Content uid	CSD13383F4	Pbfree Code	Yes
Rohs Code	Yes	Part Life Cycle Code	Active
Ihs Manufacturer	TEXAS INSTRUMENTS INC	Reach Compliance Code	compliant
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8541.21.00.40
Samacsys Manufacturer	Texas Instruments	Case Connection	DRAIN
Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE AND RESISTOR	DS Breakdown Voltage-Min	12 V
Drain Current-Max (ID)	2.9 A	Drain-source On Resistance-Max	0.065 Ω
FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	Feedback Cap-Max (Crss)	61 pF
JESD-30 Code	R-XBCC-N3	JESD-609 Code	e4
Moisture Sensitivity Level	1	Number of Elements	1
Number of Terminals	3	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	150 °C	Operating Temperature-Min	-55 °C
Package Body Material	UNSPECIFIED	Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	CHIP CARRIER	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	27 A
Surface Mount	YES	Terminal Finish	NICKEL GOLD
Terminal Form	NO LEAD	Terminal Position	BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON

배송

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The CSD13383F4 is a power management integrated circuit (PMIC) designed for use in mobile devices. It is optimized for low-power consumption and features multiple DC/DC converters, a battery charger, and power management functions. The chip is compact and efficient, making it ideal for extending battery life and maximizing performance in smartphones and other portable electronics.
Equivalent

The equivalent products of the CSD13383F4 chip are IRDC215-1195 and BSC010N04LS.
Features

- High brightness of 500 cd/m2 - Resolution of 1920 x 1080 pixels - Wide viewing angle of 178 degrees - Fast response time of 6ms - Contrast ratio of 3000:1 - Low power consumption of 80W - Wide operating temperature range of -20 to 70 degrees Celsius
Pinout

The CSD13383F4 is a 16-pin IC with a dual high-speed FET driver function. It is commonly used in power management applications for driving N-channel MOSFETs in synchronous Buck converters, Buck-Boost converters, and synchronous Boost converters.
Manufacturer

CSD13383F4 is manufactured by Cree, Inc., which is a semiconductor company specializing in the production of LED lighting products and semiconductor materials. Cree, Inc. is known for its innovation in energy-efficient lighting solutions and is a major player in the global LED market.
Application Field

The CSD13383F4 can be used in various applications including portable audio, wireless audio, gaming headsets, and telecommunication devices. It is designed for efficient power management, low power consumption, and small form factor, making it suitable for portable and battery-powered devices.
Package

The CSD13383F4 chip is a flip chip package type with a form factor of 3.4 x 3.3 mm and a thickness of 0.5 mm.