이 웹사이트는 쿠키를 사용합니다. 이 사이트를 이용함으로써 귀하는 쿠키 사용에 동의하게 됩니다. 자세한 내용은 다음을 참조하세요. 개인 정보 정책.

이미지는 참고용입니다. 제품 사양 보기

주문 금액이

$5000

받으세요 $50 할인을 !

CSD19535KTTT

Name: CSD19535KTTT
Brand: TEXAS INSTRUMENTS INC
Rating: 4.8 (10 reviews)

N-Channel 100 V 200A (Ta) 300W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3

브랜드: TEXAS INSTRUMENTS INC

제조업체부품 #: CSD19535KTTT

데이터 시트: CSD19535KTTT 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: DDPAK/TO-263-3

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 5,333 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

빠른 견적

다음에 대한 RFQ를 제출해 주십시오. CSD19535KTTT 또는 우리에게 이메일을 보내: 이메일: [email protected], 12시간 이내에 연락드리겠습니다.

수량^*

이메일^*

담당자 이름^*

회사

주목

CSD19535KTTT 일반적인 설명

The CSD19535KTTT is a high-performance power MOSFET designed for efficient power conversion applications. With a voltage rating of 100V and a low on-state resistance of 2.8 mΩ, this D²PAK (TO-263) NexFET™ MOSFET helps minimize power losses and improve overall system efficiency

특징

Long-Term Reliable Operation
Low-Vibration Sensitivity
Hermetically-Sealed Package

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Source Content uid	CSD19535KTTT	Pbfree Code	Yes
Rohs Code	No	Part Life Cycle Code	Active
Ihs Manufacturer	TEXAS INSTRUMENTS INC	Package Description	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Reach Compliance Code	not_compliant	ECCN Code	EAR99
HTS Code	8541.29.00.95	Samacsys Manufacturer	Texas Instruments
Additional Feature	AVALANCHE RATED	Avalanche Energy Rating (Eas)	451 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE
DS Breakdown Voltage-Min	100 V	Drain Current-Max (ID)	200 A
Drain-source On Resistance-Max	0.0041 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Feedback Cap-Max (Crss)	38 pF	JEDEC-95 Code	TO-263AB
JESD-30 Code	R-PSSO-G2	JESD-609 Code	e3
Moisture Sensitivity Level	2	Number of Elements	1
Number of Terminals	2	Operating Mode	ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max	175 °C	Operating Temperature-Min	-55 °C
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY	Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	SMALL OUTLINE	Peak Reflow Temperature (Cel)	260
Polarity/Channel Type	N-CHANNEL	Pulsed Drain Current-Max (IDM)	400 A
Surface Mount	YES	Terminal Finish	MATTE TIN
Terminal Form	GULL WING	Terminal Position	SINGLE
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30	Transistor Application	SWITCHING
Transistor Element Material	SILICON	VDS (V)	100
Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ)	3.4	IDM - pulsed drain current (max) (A)	400
QG (typ) (nC)	75	QGD (typ) (nC)	11
QGS (typ) (nC)	25	VGS (V)	20
VGSTH typ (typ) (V)	2.7	ID - silicon limited at TC=25°C (A)	197
ID - package limited (A)	200	Logic level	No
Operating temperature range (°C)	-55 to 175

배송

	배송비	리드타임
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
등기 항공 우편	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날

처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.

지불

지불 조건		핸드 수수료
	은행 송금	US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다.
	페이팔	4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다.
	신용 카드	3.5% 서비스 수수료를 부과합니다.
	웨스턴 유니언	charge US.00 banking fee.
	돈 그램	US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다.

보증

1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.

2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.

포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The CSD19535KTTT is a power MOSFET chip designed for high-power and high-efficiency applications. It features a low on-resistance, ideal for reducing power loss and maximizing energy efficiency. The chip is commonly used in power supplies, motor controls, and other applications that require high-performance power management.
Equivalent

The equivalent products of CSD19535KTTT chip are CSD19536KTTT and CSD19535POTT. These chips have similar specifications and can be used as substitutes for the CSD19535KTTT in electronic applications.
Features

CSD19535KTTT is a 100V N-channel NexFET power MOSFET with a low RDS(on) value, designed for high power density applications. It features a small and high performance footprint, high efficiency and low power loss. It is suitable for use in synchronous buck converters, point-of-load regulation, and battery management systems.
Pinout

The CSD19535KTTT is a 60V, N-channel NexFET™ power MOSFET with a total pin count of 5. The functions of the pins include gate control, source connection, and drain connection. It is commonly used in power management applications such as DC-DC converters and motor control circuits.
Manufacturer

The CSD19535KTTT is manufactured by Texas Instruments, which is a global semiconductor design and manufacturing company. They specialize in developing a wide range of integrated circuits and other electronic components for various industries, including automotive, industrial, communications, and consumer electronics.
Application Field

The CSD19535KTTT is widely used in power switching applications, such as motor drives, uninterruptible power supplies, solar inverters, and welding equipment. It is also used in high frequency power converters, resonant converters, and induction heating. Its low on-resistance, fast switching speed, and high avalanche energy capability make it suitable for a variety of power electronics applications.
Package

The CSD19535KTTT chip is a surface-mount package type in a D²PAK form. It measures 10.3mm x 23.7mm x 4.6mm in size. It is a high-frequency, high-efficiency N-channel NexFET power MOSFET designed for use in power supply applications.