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$5000NGTB25N120FLWG
IGBT Trench Field Stop 1200 V 50 A 192 W Through Hole TO-247-3
브랜드: onsemi
제조업체부품 #: NGTB25N120FLWG
데이터 시트: NGTB25N120FLWG 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-247
상품 유형: Single IGBTs
NGTB25N120FLWG 일반적인 설명
Designed for demanding switching applications, the NGTB25N120FLWG is a standout choice for engineers looking for a high-performance Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) with superior capabilities. Its robust Trench construction and advanced features make it an ideal solution for UPS and solar applications, where efficiency and reliability are crucial. The co-packaged free-wheeling diode adds further value to this IGBT, providing fast and smooth operation with a low forward voltage. Whether used in industrial machinery or renewable energy systems, the NGTB25N120FLWG offers exceptional performance and efficiency, making it a versatile option for a variety of power management applications
특징
- High Efficiency and Reliability
- Small Size with High Power Density
- Rapid Recovery Time and Low Loss
- Low EMI and RFI Interference
- Safe Operating Area up to 150°C
- High Surge Current Capability
애플리케이션
- Hybrid Power Systems
- Energy Efficiency
- Microgrid Control
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | onsemi | Product Category: | IGBT Transistors |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Package / Case: | TO-247 | Mounting Style: | Through Hole |
| Configuration: | Single | Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 2 V | Maximum Gate Emitter Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 50 A | Pd - Power Dissipation: | 192 W |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Series: | NGTB25N120FL | Packaging: | Tube |
| Brand: | onsemi | Gate-Emitter Leakage Current: | 100 nA |
| Product Type: | IGBT Transistors | Factory Pack Quantity: | 30 |
| Subcategory: | IGBTs |
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부품 포인트
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The NGTB25N120FLWG is a high voltage, high power IGBT chip designed for applications requiring efficient switching and high reliability. It features a low conduction loss and fast switching speed, making it suitable for use in power electronics, motor control, and renewable energy systems.
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Equivalent
The equivalent products of NGTB25N120FLWG chip are the IRGPC50U, FGL40N120AND, and CMS20N120. These chips are all Insulated Gate Bipolar Transistors (IGBTs) with similar specifications and performance characteristics. -
Features
- 1200V IGBT module - Low conduction and switching losses - High current capability - High surge current capability - Low tail current for better efficiency - Isolation voltage of 2500V AC - NPT (Non Punch Through) IGBT technology with field stop diode -
Pinout
NGTB25N120FLWG is a high voltage IGBT module with a pin count of 7. It is commonly used in power electronics applications for switching and controlling high voltage and high current levels. The pins are used for gate control, collector and emitter connections, and thermal monitoring. -
Manufacturer
The manufacturer of NGTB25N120FLWG is ON Semiconductor. It is a global supplier of power management and semiconductor solutions for a wide range of industries including automotive, communication, computing, consumer, industrial, and aerospace. ON Semiconductor offers a comprehensive portfolio of energy efficient products to help design engineers solve their unique design challenges. -
Application Field
NGTB25N120FLWG is mainly used in applications such as solar inverters, welding machines, UPS systems, and motor drives. It is also suitable for industrial power supplies, induction heating, and power factor correction systems. The module's high reliability and efficiency make it ideal for various power electronics applications. -
Package
The NGTB25N120FLWG chip is a IGBT module with a TO-247 package, flange form, and a size of 3.8 x 1.61 x 1.17 inches (96.5 x 40.9 x 29.8 mm).
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