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NGTB40N120SWG 48HRS

IGBT Transistors FSII 40A 1200V Welding

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: onsemi

제조업체부품 #: NGTB40N120SWG

데이터 시트: NGTB40N120SWG 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-247-3

RoHS 상태:

재고상태: 8,323 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single IGBTs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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NGTB40N120SWG 일반적인 설명

IV. Elevate your switching applications with the NGTB40N120SWG Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT). Boasting a robust and cost-effective Trench construction, this IGBT delivers superior performance in demanding industrial settings. With low on-state voltage and minimal switching loss, it guarantees unparalleled efficiency and energy savings. Perfect for welding applications, it comes equipped with a soft and fast co-packaged free wheeling diode featuring a low forward voltage for added convenience and functionality

특징

  • Low Input Current
  • High Isolation Voltage
  • Compact Size and Weight
  • Economical Pricing Policy
  • Long Shelf Life Guarantee
  • Fully RoHS Compliant

애플리케이션

  • Gate and Fence Installation
  • Automotive Bodywork
  • DIY Crafting Projects

명세서

매개변수 매개변수
Package Tube Product Status Obsolete
IGBT Type Trench Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max) 80 A Current - Collector Pulsed (Icm) 200 A
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 40A Power - Max 535 W
Switching Energy 3.4mJ (on), 1.1mJ (off) Input Type Standard
Gate Charge 313 nC Td (on/off) @ 25°C 116ns/286ns
Test Condition 600V, 40A, 10Ohm, 15V Reverse Recovery Time (trr) 240 ns
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Package / Case TO-247-3 Supplier Device Package TO-247-3
Base Product Number NGTB40

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부품 포인트

  • The NGTB40N120SWG is a high power IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chip designed for use in high-voltage and high-current applications. It features a current rating of 40A and a voltage rating of 1200V, making it suitable for use in a wide range of power electronic systems including motor drives, inverters, and power supplies. The chip is designed to offer high performance, reliability, and efficiency in demanding industrial and automotive applications.
  • Equivalent

    Some equivalent products of NGTB40N120SWG chip include IRG4BC30KD, AUIRG4BC30UD, and IRGS4B60KD. These are also insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with similar voltage and current ratings that can be used as alternatives in various applications.
  • Features

    - High power NPT IGBT - 1200V breakdown voltage - 40A continuous collector current - Low VCE(on) for higher efficiency - Square RBSOA for robustness and reliability - Integrated anti-parallel diode - High thermal cycling capability - Low switching losses Overall, a high-performance and reliable NPT IGBT with excellent power handling capabilities.
  • Pinout

    The NGTB40N120SWG is a 3-pin IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) with a TO-247 package. The pin count includes the gate (G), collector (C), and emitter (E). The functions of these pins are to control the current flow between the collector and emitter by applying voltage to the gate.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the NGTB40N120SWG is ON Semiconductor. It is a Fortune 500 semiconductor supplier company that designs and manufactures a range of semiconductor products for various applications including power management, signal amplification, and energy-efficient solutions.
  • Application Field

    The NGTB40N120SWG is commonly used in power supply applications, motor control, and industrial inverters. It is also suitable for use in renewable energy systems such as solar inverters and wind turbine power converters. Additionally, it can be used in welding equipment, UPS systems, and electric vehicle charging stations.
  • Package

    The NGTB40N120SWG chip comes in a TO-3P package type with a single form and size of 16.5mm x 7.5mm x 5.5mm.

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