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IRF200P222
Advanced semiconductor component for industrial automation syste
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브랜드: INFINEON TECHNOLOGIES AG
제조업체부품 #: IRF200P222
데이터 시트: IRF200P222 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-247
RoHS 상태:
재고상태: 7,107 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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수량 | 단가 | 추가 가격 |
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1 | $5.565 | $5.565 |
10 | $4.891 | $48.910 |
25 | $4.269 | $106.725 |
100 | $3.924 | $392.400 |
재고: 7,107 PCS
IRF200P222 일반적인 설명
Discover the Infineon IRF200P222, a robust N-Channel Mosfet capable of handling a maximum drain source voltage of 200V and a continuous drain current of 182A. With a maximum threshold voltage of 4V and a test voltage of 10V for Rds(On), this Mosfet is designed for high-performance applications. Its through-hole mounting ensures easy integration into electronic systems, and with a maximum temperature rating of 175°C, it can operate in harsh environments. Furthermore, this product is RoHS compliant, demonstrating its commitment to environmental responsibility
특징
- Static drain-source on-resistance:
- RDS(on)≤11.5mΩ
- Enhancement mode:
- Vth =2.0 to 4.0 V (VDS=VGS, ID=270μ A)
- 100% avalanche tested
- Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
- performance and reliable operation
애플리케이션
SWITCHING명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Rohs Code | Yes | Part Life Cycle Code | Active |
Ihs Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES AG | Reach Compliance Code | not_compliant |
ECCN Code | EAR99 | Factory Lead Time | 53 Weeks, 1 Day |
Samacsys Manufacturer | Infineon | Avalanche Energy Rating (Eas) | 1070 mJ |
Case Connection | DRAIN | Configuration | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
DS Breakdown Voltage-Min | 200 V | Drain Current-Max (ID) | 182 A |
Drain-source On Resistance-Max | 0.0066 Ω | FET Technology | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95 Code | TO-247AC | JESD-30 Code | R-PSFM-T3 |
JESD-609 Code | e3 | Number of Elements | 1 |
Number of Terminals | 3 | Operating Mode | ENHANCEMENT MODE |
Package Body Material | PLASTIC/EPOXY | Package Shape | RECTANGULAR |
Package Style | FLANGE MOUNT | Polarity/Channel Type | N-CHANNEL |
Pulsed Drain Current-Max (IDM) | 728 A | Surface Mount | NO |
Terminal Finish | TIN | Terminal Form | THROUGH-HOLE |
Terminal Position | SINGLE | Transistor Application | SWITCHING |
Transistor Element Material | SILICON |
배송
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