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IRG4BC30KDPBF

Name: IRG4BC30KDPBF
Rating: 4.5 (10 reviews)

N-CH 600V 28A 100W Trans IGBT Chip 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

브랜드: Infineon

제조업체부품 #: IRG4BC30KDPBF

데이터 시트: IRG4BC30KDPBF 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-220-3

상품 유형: Single IGBTs

RoHS 상태:

재고상태: 9,555 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IRG4BC30KDPBF 일반적인 설명

Additionally, the IRG4BC30KDPBF features built-in short circuit and overcurrent protection, ensuring its ruggedness and reliability even in harsh operating conditions. With a maximum junction temperature of 150°C, this IGBT can deliver consistent performance even in high temperature environments. Whether you're looking for a reliable solution for your motor control system or a robust component for your power inverter, the IRG4BC30KDPBF is the perfect choice to meet your high-power application needs

특징

High current handling for heavy loads
Low voltage drop for minimal energy loss
Suitable for motor control and power supply systems
Reliability for consistent performance

애플리케이션

Fast switching speed for power supplies
Suitable for renewable energy inverters
High voltage capability for reliability

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	IGBT Transistors	RoHS	Details
Technology	Si	Package / Case	TO-220-3
Mounting Style	Through Hole	Configuration	Single
Collector- Emitter Voltage VCEO Max	600 V	Collector-Emitter Saturation Voltage	2.88 V
Maximum Gate Emitter Voltage	- 20 V, + 20 V	Continuous Collector Current at 25 C	28 A
Pd - Power Dissipation	100 W	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Brand	Infineon Technologies
Continuous Collector Current Ic Max	28 A	Gate-Emitter Leakage Current	100 nA
Height	8.77 mm	Length	10.54 mm
Product Type	IGBT Transistors	Factory Pack Quantity	1000
Subcategory	IGBTs	Width	4.69 mm
Part # Aliases	SP001532644

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부품 포인트

The IRG4BC30KDPBF is a high power insulated gate bipolar transistor (IGBT) chip commonly used in power electronic applications. It has a voltage rating of 600V and a current rating of 23A. The chip is designed to switch high voltages and currents with minimal loss and can be applied in motor control, inverters, and power supplies.
Equivalent

Some potential equivalent products of the IRG4BC30KDPBF chip are the IRG4BC30K, IRG4BC30S, and IRG4BC30F. These are all insulated gate bipolar transistors (IGBTs) with similar specifications and features, making them suitable alternatives for various applications in power electronics.
Features

The IRG4BC30KDPBF is a 600V insulated gate bipolar transistor (IGBT) that features a fast switching speed, low saturation voltage, and a high current rating of 31A. It is designed for use in high power applications such as motor control and power converters.
Pinout

The IRG4BC30KDPBF is an Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) with a pin count of 3. Its pins include the collector (C), emitter (E), and gate (G). The IGBT is commonly used in power electronic systems and its function is to switch or amplify electrical signals.
Manufacturer

The manufacturer of the IRG4BC30KDPBF is Infineon Technologies. It is a German semiconductor manufacturer specializing in the production of power semiconductors, microcontrollers, and sensors. Infineon Technologies serves a wide range of industries, including automotive, industrial, and consumer electronics.
Application Field

The IRG4BC30KDPBF is a high voltage insulated gate bipolar transistor (IGBT) that is commonly used in applications such as motor drives, power supplies, and renewable energy systems. It is designed to handle high current and voltage levels, making it suitable for high-power applications.
Package

The IRG4BC30KDPBF chip comes in a TO-220AB package type, a D2Pak (TO-263) form, and has a small size suitable for electronic applications.