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SUM110P06-08L-E3

Name: SUM110P06-08L-E3
Rating: 4.5 (10 reviews)

P-Type 60-Voltage Power MOSFET

브랜드: Vishay

제조업체부품 #: SUM110P06-08L-E3

데이터 시트: SUM110P06-08L-E3 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: D2PAK-3 (TO-263-3)

RoHS 상태:

재고상태: 6,788 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SUM110P06-08L-E3 일반적인 설명

The SUM110P06-08L-E3 MOSFET is a powerful P-channel transistor designed for high-performance electronic applications. With a continuous drain current of -110A and a drain source voltage of -60V, this MOSFET offers reliable and efficient operation in a variety of circuit configurations. Its low on resistance of 0.0065ohm and threshold voltage of -3V make it an ideal choice for power management and switching applications. The TO-263 case style and three-pin configuration ensure easy integration into existing circuit designs, while the high power dissipation of 272W and maximum operating temperature of 175°C guarantee long-term reliability under heavy loads. Part of the TrenchFET Series, this MOSFET is well-suited for automotive and industrial use, and meets MSL 1 and SVHC standards for quality and safety

특징

None

애플리케이션

SWITCHING

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
REACH	Details	Technology	Si
Mounting Style	SMD/SMT	Package / Case	D2PAK-3 (TO-263-3)
Transistor Polarity	P-Channel	Number of Channels	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	60 V	Id - Continuous Drain Current	110 A
Rds On - Drain-Source Resistance	8 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	1 V	Qg - Gate Charge	160 nC
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Pd - Power Dissipation	272 W	Channel Mode	Enhancement
Tradename	TrenchFET	Series	SUM
Brand	Vishay Semiconductors	Configuration	Single
Fall Time	300 ns	Forward Transconductance - Min	20 S
Product Type	MOSFET	Rise Time	190 ns
Factory Pack Quantity	800	Subcategory	MOSFETs
Transistor Type	1 P-Channel	Typical Turn-Off Delay Time	140 ns
Typical Turn-On Delay Time	20 ns

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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The SUM110P06-08L-E3 chip is a power MOSFET designed for various applications that require high current and low on-resistance. It has a maximum drain current of 110A and a drain-source voltage rating of 60V. This chip offers efficient power management, making it suitable for use in a wide range of electronic devices and power supply systems.
Equivalent

There are no listed direct equivalent products for the SUM110P06-08L-E3 chip. It is a specific proprietary product that may not have any exact alternatives or equivalents in the market.
Features

The SUM110P06-08L-E3 is a power MOSFET transistor with an N-channel enhancement mode. It has a voltage rating of 60V and a current rating of 110A. This MOSFET is designed for high power applications, offering low on-resistance, fast switching speeds, and high reliability.
Pinout

The pin count of the SUM110P06-08L-E3 is 8. It is a P-channel Enhancement mode MOSFET transistor commonly used for switching applications in low voltage and high current circuits.
Manufacturer

The manufacturer of the SUM110P06-08L-E3 is Vishay Siliconix. It is a semiconductor company that designs, manufactures, and distributes a wide range of power semiconductor devices.
Application Field

The SUM110P06-08L-E3 is a power MOSFET transistor typically used in various applications, including DC-DC converters, motor control, and power management systems. Its low ON-resistance and high current capability make it suitable for power switching applications requiring high efficiency and reliability.
Package

The SUM110P06-08L-E3 chip is in a TO-252 (DPAK) package type, with a through-hole form. It has a size of approximately 6.65mm x 9.65mm x 2.3mm.