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Infineon IPD110N12N3GATMA1

Name: IPD110N12N3GATMA1
Rating: 4.5 (6 reviews)

Power Field-Effect Transistor

브랜드: Infineon

제조업체부품 #: IPD110N12N3GATMA1

데이터 시트: IPD110N12N3GATMA1 Datasheet (PDF)

패키지/케이스: PG-TO252-3

RoHS 상태:

재고상태: 3933 PC, 새로운 원본

상품 유형: 트랜지스터

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

가격

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수량	단가	추가 가격
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10	$1.674	$16.740
30	$1.532	$45.960
100	$1.195	$119.500
500	$1.130	$565.000
1000	$1.102	$1102.000

In Stock:3933 PCS

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IPD110N12N3GATMA1 일반적인 설명

The IPD110N12N3GATMA1 is a N-channel power MOSFET produced by Infineon Technologies. It belongs to the OptiMOS 5 family of power MOSFETs, which are designed to provide low on-state resistance and high system efficiency in a wide range of applications, including motor control, power supplies, and DC-DC converters.The IPD110N12N3GATMA1 features a drain-source voltage of 120V, a continuous drain current of 110A, and a low on-resistance of 3mΩ. This MOSFET is housed in a TO-252 package, which is a small surface-mount package that allows for easy integration into PCB designs.One of the key features of the IPD110N12N3GATMA1 is its low gate charge, which enables fast switching speeds and efficient operation. This, combined with its low on-resistance, helps to minimize power losses and improve overall system performance.Additionally, this MOSFET is RoHS compliant, making it environmentally friendly and suitable for use in applications that require compliance with environmental regulations.

특징

100V, 110A N-channel power MOSFET
Low on-resistance RDS(on) of 6.5 mΩ
Enhanced switching performance
Optimized for high-current applications
Advanced Trench Technology
Halogen-free according to IEC 61249-2-21
Qualified according to AEC Q101
RoHS compliant

애플리케이션

Automotive industry - used in electric vehicle powertrains, battery management systems, and charging stations
Industrial automation - for motor control, power supplies, and robotics
Solar energy - in inverters and power optimizers
Telecommunications - for power amplifiers and base station power supplies
Military and aerospace - in radar systems and electronic warfare applications
Consumer electronics - for portable devices and home appliances
Medical devices - in imaging systems and surgical equipment

명세서

매개변수	값	매개변수	값
functionalPacking	TAPE & REEL	addProductInfo	MS, RoHS compliant, non dry
packageNameMarketing	DPAK	msl	1
halogenFree	yes	customerInfo	STANDARD
fgr	N59	productClassification	COM
productStatusInfo	active	hfgr	A
packageName	PG-TO252-3	pbFree	yes
moistureProtPack	NON DRY	orderingCode	SP001127808
fourBlockPackageName	PG-TO252-3-313	rohsCompliant	yes
opn	IPD110N12N3GATMA1	completelyPbFree	no
sapMatnrSali	SP001127808

배송

	배송비	리드타임
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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
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부품 포인트

The IPD110N12N3GATMA1 chip is a power MOSFET transistor designed for use in automotive applications. It has a voltage rating of 1200V and a current rating of 110A. This chip offers low on-resistance and high efficiency, making it suitable for use in electric vehicles and other power electronics systems.
Equivalent

An equivalent product of the IPD110N12N3GATMA1 chip is the FDP110N12N3GATM.
Features

The IPD110N12N3GATMA1 is a power MOSFET transistor that is low on-resistance, suitable for high-current applications. It features a voltage rating of 1200V and a current rating of 100A, making it appropriate for various power conversion and control applications.
Pinout

The IPD110N12N3GATMA1 has a pin count of 8. It is a power MOSFET that has a drain, source, and gate terminal. It is designed for applications requiring high power and efficiency in a compact package.
Manufacturer

The manufacturer of the IPD110N12N3GATMA1 is Infineon Technologies. It is a global semiconductor company specializing in design, production, and marketing of various semiconductor solutions. Infineon Technologies primarily operates in the fields of automotive, industrial, power, and security applications, providing innovative products and technologies to customers worldwide.
Application Field

The IPD110N12N3GATMA1 is a power MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) designed for various applications where high power and low on-resistance are required. It can be used in areas such as power supplies, motor control systems, DC-DC converters, and other high-power switching applications.
Package

The IPD110N12N3GATMA1 chip comes in a TO-252-3 package type, also known as DPAK (Plastic-Encapsulated Transistor). The form is a surface mount. Its size is compact, measuring approximately 6.5mm x 6.1mm x 2.5mm.