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IPB044N15N5ATMA1

Name: IPB044N15N5ATMA1
Rating: 4.5 (10 reviews)

7-Pin N-channel MOSFET transistor designed for 150V applications with a maximum current of 174A

브랜드: INFINEON TECHNOLOGIES AG

제조업체부품 #: IPB044N15N5ATMA1

데이터 시트: IPB044N15N5ATMA1 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: PG-TO263-7

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 6,260 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IPB044N15N5ATMA1 일반적인 설명

The IPB044N15N5ATMA1 by Infineon is a top-of-the-line power MOSFET designed for low voltage drive applications. With a voltage rating of 150 V and OptiMOS™ 5 technology, it offers exceptional performance and efficiency, making it perfect for forklifts, e-scooters, and even in telecom and solar applications. Its PG-TO263-7 package ensures easy integration, and it is RoHS compliant, demonstrating adherence to environmental standards

특징

Excellent gate charge x RDS (on)product(FOM)Very low on-resistance RDS(on)Very low reverse recovery charge (Qrr)175°CoperatingtemperaturePb-free lead plating; RoHS compliantQualifiedaccordingtoJEDEC1)for target applicationIdeal for high-frequency switching and synchronous rectificationHalogen-freeaccordingtoIEC61249-2-21

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Pbfree Code	Yes	Rohs Code	Yes
Part Life Cycle Code	Active	Ihs Manufacturer	INFINEON TECHNOLOGIES AG
Package Description	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G6	Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN Code	EAR99	Factory Lead Time	53 Weeks, 1 Day
Samacsys Manufacturer	Infineon	Avalanche Energy Rating (Eas)	470 mJ
Case Connection	DRAIN	Configuration	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
DS Breakdown Voltage-Min	150 V	Drain Current-Max (ID)	174 A
Drain-source On Resistance-Max	0.0044 Ω	FET Technology	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95 Code	TO-263	JESD-30 Code	R-PSSO-G6
JESD-609 Code	e3	Moisture Sensitivity Level	1
Number of Elements	1	Number of Terminals	6
Operating Mode	ENHANCEMENT MODE	Package Body Material	PLASTIC/EPOXY
Package Shape	RECTANGULAR	Package Style	SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel)	260	Polarity/Channel Type	N-CHANNEL
Pulsed Drain Current-Max (IDM)	696 A	Surface Mount	YES
Terminal Finish	TIN	Terminal Form	GULL WING
Terminal Position	SINGLE	Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	30
Transistor Application	SWITCHING	Transistor Element Material	SILICON
Series	OptiMOS™	Product Status	Active
FET Type	N-Channel	Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	150 V	Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	174A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	8V, 10V	Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.4mOhm @ 87A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.6V @ 264µA	Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	100 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	8000 pF @ 75 V
Power Dissipation (Max)	300W (Tc)	Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Supplier Device Package	PG-TO263-7
Base Product Number	IPB044

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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The IPB044N15N5ATMA1 is a N-channel MOSFET (metal-oxide-semiconductor field-effect transistor) power transistor designed for high power applications. It has a voltage rating of 150V and a continuous drain current of 44A, making it suitable for use in a variety of industrial and automotive applications where high power handling capability is required.
Equivalent

The equivalent products of IPB044N15N5ATMA1 chip are Infineon IPP044N15N3G and IPB052N15N3G. These chips are also high-performance power MOSFETs designed for applications requiring high efficiency and reliability.
Features

The IPB044N15N5ATMA1 is a 150V OptiMOS™ 5 Power MOSFET with features such as low RDS(on) of 4.4mΩ, high efficiency, reduced power losses, and improved thermal performance. It is suitable for applications in automotive and industrial sectors requiring high power density and reliability.
Pinout

The IPB044N15N5ATMA1 is a 150V, N-channel MOSFET power transistor with a pin count of 5. The functions of these pins include drain, source, gate, and two additional pins for enhanced thermal performance. It is commonly used in high power applications requiring efficient switching and low ON resistance.
Manufacturer

The manufacturer of IPB044N15N5ATMA1 is Infineon Technologies AG, which is a German multinational semiconductor manufacturer. Infineon produces a wide range of semiconductor products used in various applications, including automotive, industrial, and consumer electronics. The company is known for its expertise in power semiconductors and solutions for efficient energy usage.
Application Field

IPB044N15N5ATMA1 is a power MOSFET typically used in high power applications such as motor control, power supplies, and inverters. It is suitable for a wide range of automotive, industrial, and consumer electronics applications where high efficiency and reliability are required.
Package

The IPB044N15N5ATMA1 chip is a surface-mount package with a form of TO263-3 (D2PAK) and a size of 10.3mm x 11mm x 4.8mm.