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L2N7002DW1T1G 48HRS

Tape and Reel Packaged Dual N-Channel MOSFET Array with 6-Pin SC-88 Package, 60V Voltage Rating and ±0.115A Current Rating

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: LESHAN RADIO CO LTD

제조업체부품 #: L2N7002DW1T1G

데이터 시트: L2N7002DW1T1G 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT363

RoHS 상태:

재고상태: 9,230 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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L2N7002DW1T1G 일반적인 설명

The L2N7002DW1T1G is a versatile dual N-channel MOSFET transistor specifically engineered for low voltage applications. With a maximum drain-source voltage of 60V and a continuous drain current of 115mA, this transistor is perfect for power-efficient devices like battery-powered electronics and portable gadgets. Its low threshold voltage of 1V makes it a top choice for applications operating at lower voltages, ensuring optimal performance

L2N7002DW1T1G

명세서

매개변수 매개변수
Rohs Code Yes Part Life Cycle Code Active
Ihs Manufacturer LESHAN RADIO CO LTD Package Description SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code ECCN Code EAR99
Configuration SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE DS Breakdown Voltage-Min 60 V
Drain Current-Max (ID) 0.115 A Drain-source On Resistance-Max 7.5 Ω
FET Technology METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR Feedback Cap-Max (Crss) 5 pF
JESD-30 Code R-PDSO-G6 Number of Elements 2
Number of Terminals 6 Operating Mode ENHANCEMENT MODE
Operating Temperature-Max 150 °C Package Body Material PLASTIC/EPOXY
Package Shape RECTANGULAR Package Style SMALL OUTLINE
Peak Reflow Temperature (Cel) NOT SPECIFIED Polarity/Channel Type N-CHANNEL
Power Dissipation-Max (Abs) 0.38 W Surface Mount YES
Terminal Form GULL WING Terminal Position DUAL
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s) NOT SPECIFIED Transistor Element Material SILICON
Product Category MOSFET Technology Si
Brand onsemi Product Type MOSFET
Subcategory MOSFETs

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부품 포인트

  • The L2N7002DW1T1G is a MOSFET chip manufactured by On Semiconductor. It is used for switching electronic signals in low power applications such as portable devices and battery-powered systems. The chip has a voltage rating of 60V and a low on-resistance, making it ideal for use in power management circuits and other energy-efficient applications.
  • Equivalent

    The equivalent products of L2N7002DW1T1G chip are: 1. AO3401A 2. 2N7002LT1G 3. MMBT7002LT1G 4. ZXMN2A01E6TA 5. FDN338PZ These are all N-channel MOSFETs with similar specifications and package sizes.
  • Features

    The L2N7002DW1T1G is a small logic-level N-channel MOSFET transistor with a maximum drain-source voltage of 60V, a maximum continuous drain current of 0.115A, and a low threshold voltage of 1.8V. It is ideal for use in various electronics applications that require fast switching speeds and low power consumption.
  • Pinout

    The L2N7002DW1T1G is a dual N-channel MOSFET with a pin count of 6. Pin 1 and 6 are the source pins of each MOSFET while pin 2 and 5 are the gate pins and pin 3 and 4 are the drain pins. It is typically used in low power consumption and DC/DC converter applications.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the L2N7002DW1T1G is ON Semiconductor. ON Semiconductor is a global semiconductor supplier specializing in power management, analog, and sensor technology solutions. They provide innovative products for a variety of industries including automotive, industrial, and consumer electronics.
  • Application Field

    The L2N7002DW1T1G is commonly used as a low-power switch in various applications such as portable electronics, battery management systems, and small signal switching. It's often found in circuit designs requiring efficient control of low-voltage signals or power.
  • Package

    The L2N7002DW1T1G is a MOSFET transistor. It comes in a SOT-363 package, which is a small surface-mount package with three leads. The dimensions are typically around 2.00mm x 1.25mm x 1.00mm.

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