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SI7456DP-T1-E3

Name: SI7456DP-T1-E3
Rating: 4.5 (10 reviews)

MOSFET capable of handling 9.3A current and 5.2W power at 100V

브랜드: Vishay

제조업체부품 #: SI7456DP-T1-E3

데이터 시트: SI7456DP-T1-E3 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: PowerPAK-SO-8

RoHS 상태:

재고상태: 8,159 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SI7456DP-T1-E3 일반적인 설명

The package includes important specifications like power dissipation, termination type, and voltage ratings. With a typical voltage Vds of 100V and a voltage Vgs Rds measurement of 10V, this MOSFET can handle high-power applications with ease. The SMD termination type ensures reliable connectivity in surface mount PCB designs

특징

None

애플리케이션

Primary Side Switch for High Density DC/DC |Telecom/Server 48 V, Full-/Half-Bridge DC/DC |Industrial and 42 V Automotive D

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	PowerPAK-SO-8	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	100 V
Id - Continuous Drain Current	9.3 A	Rds On - Drain-Source Resistance	25 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	4 V
Qg - Gate Charge	36 nC	Minimum Operating Temperature	- 55 C
Maximum Operating Temperature	+ 150 C	Pd - Power Dissipation	5.2 W
Channel Mode	Enhancement	Tradename	TrenchFET
Series	SI7	Brand	Vishay Semiconductors
Configuration	Single	Fall Time	26 ns
Forward Transconductance - Min	35 S	Height	1.04 mm
Length	6.15 mm	Product Type	MOSFET
Rise Time	10 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time	46 ns	Typical Turn-On Delay Time	20 ns
Width	5.15 mm	Part # Aliases	SI7456DP-E3
Unit Weight	0.017870 oz

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모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The SI7456DP-T1-E3 is a power MOSFET component that is part of the Vishay Siliconix family. It is designed for use in switching applications in various electronic devices. This chip offers low on-resistance, high-speed switching capabilities, and is suitable for a wide range of voltage and current requirements.
Equivalent

The equivalent products of the SI7456DP-T1-E3 chip are SI7456DP-T1-GE3 and SI7456DP-T1-RE3. These chips have similar specifications and functionality, making them suitable replacements for the SI7456DP-T1-E3 in various applications.
Features

1. Low RDS(on) of 0.75 ohms 2. Low gate charge for improved efficiency 3. High peak current capability 4. Designed for automotive applications 5. RoHS compliant 6. Halogen-free 7. Low profile DPAK package (Note: This information is subject to change and may not be up to date.)
Pinout

The SI7456DP-T1-E3 is a dual P-channel MOSFET with a pin count of 8. Pin functions include gate1, source1, drain1, gate2, source2, and drain2. It is commonly used in power management applications.
Manufacturer

The SI7456DP-T1-E3 is manufactured by Vishay Intertechnology, Inc. Vishay is an American company that produces discrete semiconductors and passive electronic components. They specialize in components for a wide range of industries, including automotive, industrial, consumer electronics, and telecommunications.
Application Field

The SI7456DP-T1-E3 is commonly used in high-speed communication protocols, such as Ethernet, SONET, and Fibre Channel. It is also suitable for applications in industrial automation, automotive electronics, and consumer electronics due to its low capacitance and high bandwidth capabilities for ESD protection.
Package

The SI7456DP-T1-E3 chip comes in a DFN (Dual Flat No-Lead) package type, with a dual MOSFET form factor. The size of the chip is 3mm x 3mm in dimension.