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HGTB12N60D1C

Name: HGTB12N60D1C
Brand: Harris Corporation
Rating: 4.8 (10 reviews)

N-channel IGBT for current sensing applications, with a rating of 12A and 600V

브랜드: Harris Corporation

제조업체부품 #: HGTB12N60D1C

데이터 시트: HGTB12N60D1C 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-220-5

RoHS 상태:

재고상태: 8,920 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single IGBTs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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재고: 8,920 PCS

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HGTB12N60D1C 일반적인 설명

Whether you are designing a motor drive system, a solar inverter, or a UPS, the HGTB12N60D1C offers the reliability and performance needed to meet the demands of modern power electronics applications. Its robust construction and high voltage tolerance make it suitable for both industrial and automotive applications

특징

Real-time voltage and current monitoring
Automatic threshold adjustment
High-speed data processing and analysis
Precision measurement and calibration
Advanced error correction and detection
Sophisticated power management algorithms

애플리케이션

Home appliances
Medical devices
Security systems

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Package	Bulk	Product Status	Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	600 V	Current - Collector (Ic) (Max)	12 A
Current - Collector Pulsed (Icm)	40 A	Vce(on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 10A
Power - Max	75 W	Input Type	Standard
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	Mounting Type	Through Hole
Package / Case	TO-220-5

배송

	배송비	리드타임
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포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

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우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The HGTB12N60D1C is a high-performance IGBT chip designed for power electronic applications. It features a low conduction and switching losses, high current rating, and high reliability. This chip is commonly used in power inverters, motor drives, and welding equipment.
Equivalent

Some equivalent products of HGTB12N60D1C chip are the MGB12N60D1C, IRG4BC20K, and FGA25N120ANTD. These chips have similar specifications and can be used as substitutes in various applications requiring a powerful and efficient IGBT chip.
Features

HGTB12N60D1C is an N-channel IGBT transistor with a voltage rating of 600V, a current rating of 24A, and a power dissipation of 375W. It has a low on-state voltage drop, high switching speed, and low tail current. This device is suitable for various power applications including motor control, inverters, and switching power supplies.
Pinout

The HGTB12N60D1C is a power MOSFET transistor with a TO-263 package and a pin count of 3 (G, D, S). The function of this transistor is to switch or amplify electrical signals in high power applications, such as in motor control or power supplies.
Manufacturer

The manufacturer of the HGTB12N60D1C is Infineon Technologies. Infineon is a global semiconductor company that designs, manufactures, and markets a wide range of products, including microcontrollers, power semiconductors, and sensors for automotive, industrial, and renewable energy applications.
Application Field

The HGTB12N60D1C is a high voltage, high speed IGBT designed for applications in power supplies, motor control, renewable energy systems, and industrial automation. It is commonly used in switch mode power supplies, inverters, and motor drives due to its high efficiency, fast switching speed, and ability to handle high power levels.
Package

The HGTB12N60D1C chip comes in a TO-263-3 package, with a single form factor and a size of 10mm x 9.5mm.