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H5TQ4G83MFR-H9C

Name: H5TQ4G83MFR-H9C
Rating: 4.5 (10 reviews)

Speedy LPDDRchip for efficient mobile computin

브랜드: SKHYNIX

제조업체부품 #: H5TQ4G83MFR-H9C

데이터 시트: H5TQ4G83MFR-H9C 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: FBGA78

상품 유형: 메모리

RoHS 상태:

재고상태: 7,478 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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H5TQ4G83MFR-H9C 일반적인 설명

DescriptionThe H5TQ2G43CFR-xxC, H5TQ2G83CFR-xxC are a 2,147,483,648-bit CMOS Double Data Rate III (DDR3) Synchronous DRAM, ideally suited for the main memory applications which requires large memory density and high bandwidth. SK hynix 2Gb DDR3 SDRAMs offer fully synchronous operations referenced to both rising and falling edges of the clock. While all addresses and control inputs are latched on the rising edges of the CK (falling edges of the CK), Data, Data strobes and Write data masks inputs are sampled on both rising and falling edges of it. The data paths are internally pipelined and 8-bit prefetched to achieve very high bandwidth.FEATURES• VDD=VDDQ=1.5V +/- 0.075V• Fully differential clock inputs (CK, CK) operation• Differential Data Strobe (DQS, DQS)• On chip DLL align DQ, DQS and DQS transition with CK  transition• DM masks write data-in at the both rising and falling  edges of the data strobe• All addresses and control inputs except data,  data strobes and data masks latched on the  rising edges of the clock• Programmable CAS latency 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11, 12, 13 and 14 supported• Programmable additive latency 0, CL-1, and CL-2  supported• Programmable CAS Write latency (CWL) = 5, 6, 7, 8, 9, 10• Programmable burst length 4/8 with both nibble  sequential and interleave mode• BL switch on the fly• 8banks• Average Refresh Cycle (Tcase of0 oC~ 95oC) - 7.8 µs at 0oC ~ 85 oC - 3.9 µs at 85oC ~ 95 oC• JEDEC standard 78ball FBGA(x4/x8)• Driver strength selected by EMRS• Dynamic On Die Termination supported• Asynchronous RESET pin supported• ZQ calibration supported• TDQS (Termination Data Strobe) supported (x8 only)• Write Levelization supported• 8 bit pre-fetch• This product in compliance with the RoHS directive.

특징

1. Capacity: 4 gigabits (512 megabytes)
2. Organization: 8 banks × 16,777,216 words × 8 bits
3. Voltage: 1.7V to 1.95V for DDR3L, 1.8V to 2.3V for DDR4
4. Interface: LVDDR3/LPDDR4/DDR4 SDRAM
5. Frequency: Up to 1600 MHz

애플리케이션

This memory chip is commonly used in various electronic devices such as smartphones, tablets, laptops, graphics cards, and networking equipment for data storage and memory purposes.

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer	HYNIX

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