이 웹사이트는 쿠키를 사용합니다. 이 사이트를 이용함으로써 귀하는 쿠키 사용에 동의하게 됩니다. 자세한 내용은 다음을 참조하세요. 개인 정보 정책.

이미지는 참고용입니다. 제품 사양 보기

주문 금액이

$5000

받으세요 $50 할인을 !

H5TQ4G63AFR-RDC

Name: H5TQ4G63AFR-RDC
Rating: 4.5 (10 reviews)

Reliable and efficient DRAM module for data storage and processi

브랜드: Sk Hynix Inc

제조업체부품 #: H5TQ4G63AFR-RDC

데이터 시트: H5TQ4G63AFR-RDC 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: FBGA-96

상품 유형: 메모리

RoHS 상태:

재고상태: 7,143 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

빠른 견적

다음에 대한 RFQ를 제출해 주십시오. H5TQ4G63AFR-RDC 또는 우리에게 이메일을 보내: 이메일: [email protected], 12시간 이내에 연락드리겠습니다.

수량^*

이메일^*

담당자 이름^*

회사

주목

H5TQ4G63AFR-RDC 일반적인 설명

The H5TQ4G63AFR-RDC is a cutting-edge 4Gb LPDDR3 mobile DRAM chip crafted by SK Hynix, delivering superior performance and efficiency. Boasting a generous storage capacity of 4 gigabits and a lightning-fast operating speed of up to 1866MHz, this chip is tailor-made for the demands of modern mobile devices such as smartphones and tablets. Its ability to swiftly and effectively process data sets it apart from the competition, offering users a seamless and responsive experience

특징

Power Consumption: Low power operation
Voltage Range: 1.2V to 1.35V
Operating Frequency: Up to 1333MHz
Data Transfer Rate: PC3-12800

애플리케이션

Smart TV
Augmented reality headset
Robotics control unit

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Rohs Code	Yes	Part Life Cycle Code	Obsolete
Ihs Manufacturer	SK HYNIX INC	Part Package Code	BGA
Package Description	TFBGA, BGA96,9X16,32	Pin Count	96
ECCN Code	EAR99	HTS Code	8542.32.00.36
Access Mode	MULTI BANK PAGE BURST	Access Time-Max	0.195 ns
Additional Feature	AUTO/SELF REFRESH	Clock Frequency-Max (fCLK)	933 MHz
I/O Type	COMMON	Interleaved Burst Length	4,8
JESD-30 Code	R-PBGA-B96	Length	13 mm
Memory Density	4294967296 bit	Memory IC Type	DDR3 DRAM
Memory Width	16	Number of Functions	1
Number of Ports	1	Number of Terminals	96
Number of Words	268435456 words	Number of Words Code	256000000
Operating Mode	SYNCHRONOUS	Operating Temperature-Max	85 °C
Organization	256MX16	Output Characteristics	3-STATE
Package Body Material	PLASTIC/EPOXY	Package Code	TFBGA
Package Equivalence Code	BGA96,9X16,32	Package Shape	RECTANGULAR
Package Style	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH	Peak Reflow Temperature (Cel)	NOT SPECIFIED
Qualification Status	Not Qualified	Refresh Cycles	8192
Seated Height-Max	1.2 mm	Self Refresh	YES
Sequential Burst Length	4,8	Standby Current-Max	0.017 A
Supply Current-Max	0.225 mA	Supply Voltage-Max (Vsup)	1.575 V
Supply Voltage-Min (Vsup)	1.425 V	Supply Voltage-Nom (Vsup)	1.5 V
Surface Mount	YES	Technology	CMOS
Temperature Grade	OTHER	Terminal Form	BALL
Terminal Pitch	0.8 mm	Terminal Position	BOTTOM
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)	NOT SPECIFIED

배송

	배송비	리드타임
DHL	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
페덱스	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
UPS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
TNT	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
EMS	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날
등기 항공 우편	$20.00-$40.00 (0.50 KG)	2-5 날

처리 시간: 배송비는 지역 및 국가에 따라 다릅니다.

지불

지불 조건		핸드 수수료
	은행 송금	US$30.00의 은행 수수료를 부과합니다.
	페이팔	4.0%의 서비스 수수료를 부과합니다.
	신용 카드	3.5% 서비스 수수료를 부과합니다.
	웨스턴 유니언	charge US.00 banking fee.
	돈 그램	US$0.00의 은행 수수료를 부과합니다.

보증

1. 귀하가 구입한 전자 부품에는 365일 보증이 포함되어 있으며, 우리는 제품 품질을 보장합니다.

2. 귀하가 받은 품목 중 일부가 완벽한 품질이 아닌 경우, 당사는 책임 있게 귀하의 환불 또는 교체를 준비할 것입니다. 그러나 품목은 원래 상태를 유지해야 합니다.

포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The H5TQ4G63AFR-RDC is a high-performance NAND flash memory chip commonly used in mobile devices, offering fast data transfer rates and high storage capacity. It's designed for applications requiring reliable and efficient storage solutions.
Equivalent

Equivalent products to the H5TQ4G63AFR-RDC chip include: 1. Micron MT29F32G08CBACAWP-IT: 4Gb NAND Flash. 2. Samsung K4G80325FC-HC28: 4Gb LPDDR4X SDRAM. 3. SK Hynix H9HCNNN8GALUZR-NEH: 4Gb LPDDR4X SDRAM.
Features

H5TQ4G63AFR-RDC is a DDR3 SDRAM chip with a capacity of 4 gigabits. It operates at a speed of 2133 MHz and is designed for mobile devices. It features low power consumption and a compact form factor, making it suitable for use in smartphones, tablets, and other portable electronics.
Pinout

The H5TQ4G63AFR-RDC is a 4Gb LPDDR4 SDRAM with a 78-ball FBGA package. It has a 27-bit data bus with a supply voltage of 1.1V. The pin count is 78 pins. This memory chip is commonly used in mobile devices and offers high-performance and low power consumption.
Manufacturer

The manufacturer of the H5TQ4G63AFR-RDC is SK Hynix. SK Hynix is a South Korean semiconductor company that specializes in the production of memory chips, including dynamic random-access memory (DRAM) and NAND flash memory. It's one of the world's largest memory chip manufacturers, competing with companies like Samsung and Micron.
Application Field

The H5TQ4G63AFR-RDC is commonly used in mobile devices, such as smartphones and tablets, for its low power consumption and high data transfer rates. It's also suitable for automotive applications where reliability and performance are crucial, and in industrial and IoT devices where space constraints and energy efficiency are important considerations.
Package

The H5TQ4G63AFR-RDC chip is packaged in a FBGA (Fine-pitch Ball Grid Array) format with a size of 8mm x 10mm.