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H5DU5162ETR-E3C

Name: H5DU5162ETR-E3C
Rating: 4.5 (10 reviews)

Direct sales only

브랜드: Hynix

제조업체부품 #: H5DU5162ETR-E3C

데이터 시트: H5DU5162ETR-E3C 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TSOP66

상품 유형: 메모리

RoHS 상태:

재고상태: 3,953 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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H5DU5162ETR-E3C 일반적인 설명

The H5DU5162ETR-E3C is a high-performance SDRAM module with a memory size of 512MB. Designed with a memory configuration of 32M x 16bit, this module offers reliable and efficient data storage for various electronic devices. With a memory type of SDRAM and a voltage Vcc of 2.5V, it ensures optimal compatibility and performance. The memory case style of TSOPII and a termination type of SMD provide ease of integration into circuit boards. Operating at a temperature range of 0°C to +70°C, this module can withstand varying environmental conditions without compromising its functionality. As an added benefit, this product does not contain any SVHC, making it a safe and environmentally-friendly option for memory solutions

특징

High-performance memory solution
Low-voltage power consumption
Next-generation memory technology
Fast data transfer rate guaranteed
Compact and reliable module design
Economical and eco-friendly production

애플리케이션

512Mb capacity
166MHz clock speed
Various applications benefit

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Case/Package	TSOP	Mount	Surface Mount
Number of Pins	66	Access Time	700 ps
Address Bus Width	15 b	Data Bus Width	16 b
Density	512 Mb	Max Frequency	400 MHz
Max Operating Temperature	70 °C	Max Supply Voltage	2.7 V
Memory Size	64 MB	Memory Type	SDRAM
Min Operating Temperature	0 °C	Min Supply Voltage	2.3 V
Operating Supply Voltage	2.5 V	Termination	SMD/SMT
Height	1.04 mm	Length	22.33 mm
Width	10.26 mm

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포장

단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
단계6 :바코드 배송 태그

모든 제품은 정전기 방지 가방에 포장됩니다. ESD 정전기 방지 보호 장치와 함께 배송됩니다.

외부 ESD 포장 라벨은 당사 정보(부품 번호, 브랜드 및 수량)를 사용합니다.

우리는 선적 전에 모든 상품을 검사하고, 모든 제품이 양호한 상태인지 확인하고, 부품이 새로운 원본 일치 데이터시트인지 확인합니다.

모든 상품을 포장한 후 문제가 없는지 확인한 후 안전하게 포장하여 글로벌 특급으로 보내드립니다. 우수한 밀봉 무결성과 함께 탁월한 천공 및 인열 저항성을 나타냅니다.

부품 포인트

The H5DU5162ETR-E3C is a high-speed, high-density Mobile DDR SDRAM chip manufactured by SK Hynix. It has a capacity of 8 gigabits and operates at a speed of 400 MHz. This chip is commonly used in mobile devices such as smartphones and tablets due to its low power consumption and high performance capabilities.
Equivalent

The equivalent products of the H5DU5162ETR-E3C chip are H5DU512XGTR-E3C and H5DU5262ETR-E3C. These chips are also 512Mbit DDR SDRAM components with similar specifications and characteristics as the H5DU5162ETR-E3C.
Features

H5DU5162ETR-E3C is a 256MB DDR SDRAM chip with a 16Mx16 organization, CAS latency of 2.5, and operates at 166MHz frequency. It is housed in a 66-pin TSOP-II package, has a low power consumption of 2.5V, and offers a high-speed data transfer rate of up to 333MB/s.
Manufacturer

Hynix Semiconductor is the manufacturer of the H5DU5162ETR-E3C. It is a South Korean semiconductor company that produces memory products such as DRAM and NAND flash memory. Hynix Semiconductor is a leading global supplier of memory solutions for various electronic devices.
Application Field

The H5DU5162ETR-E3C is commonly used in fields such as telecommunications, networking, automotive electronics, and industrial automation for applications that require high-speed, high-density memory access, such as routers, switches, automotive navigation systems, robotics, and factory equipment control systems.
Package

The H5DU5162ETR-E3C chip is available in a 66-pin TSOP-II package. It is a DDR SDRAM chip with a density of 512Mbits (32M x 16).