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Microchip APT10M07JVFR
APT10M07JVFR FREDFET MOS5 Discrete Semiconductor Module: With a 100V voltage tolerance and a mere 7 mOhm on-resistance
브랜드: Microchip
제조업체부품 #: APT10M07JVFR
데이터 시트: APT10M07JVFR 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: SOT-227-4
RoHS 상태:
재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More
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| 수량 | 단가 | 추가 가격 |
|---|---|---|
| 1 | $75.167 | $75.167 |
| 200 | $29.090 | $5818.000 |
| 500 | $28.067 | $14033.500 |
| 1000 | $27.562 | $27562.000 |
재고: 9,458 PCS
APT10M07JVFR 일반적인 설명
With its cutting-edge design and innovative features, the APT10M07JVFR Power MOS V® sets a new standard for performance and cost-effectiveness in MOSFET technology. The utilization of a low resistance aluminum metal gate structure provides unparalleled gate signal propagation, outperforming traditional polysilicon gate structures. This design results in significantly reduced internal chip equivalent gate resistances (EGR), offering up to ten times better performance compared to other devices on the market. In addition, the MOSFET is available with versatile body diode options, including both MOSFET and FREDFET versions, ensuring compatibility with a wide range of applications
특징
- Pulse power and signal integrity
- Ultra-fast switching and robust operation
- High-speed amplifiers for RF applications
- Low-noise transmitters for wireless communications
- Advanced plasma processing technology
- Rapid pulse generation for industrial applications
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Microchip | Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| RoHS: | Details | Product: | Power MOSFET Modules |
| Type: | MOSFET | Technology: | Si |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | - 30 V, + 30 V | Mounting Style: | Screw Mount |
| Package / Case: | SOT-227-4 | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
| Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Packaging: | Tube |
| Brand: | Microchip Technology | Configuration: | Single |
| Fall Time: | 20 ns | Id - Continuous Drain Current: | 225 A |
| Operating Supply Voltage: | 500 mV | Pd - Power Dissipation: | 700 W |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules | Rds On - Drain-Source Resistance: | 7 mOhms |
| Rise Time: | 60 ns | Factory Pack Quantity: | 1 |
| Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules | Transistor Polarity: | N-Channel |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 80 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V | Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Unit Weight: | 1.058219 oz |
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