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Microchip APT5010LVRG

Trans MOSFET N-CH 500V 47A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Microchip Technology, Inc

제조업체부품 #: APT5010LVRG

데이터 시트: APT5010LVRG Datasheet (PDF)

패키지/케이스: TO264

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 2563 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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APT5010LVRG 일반적인 설명

Power MOS 8™ is a family of high speed, high voltage (500-1200 V) N-channelswitch-mode power transistors with lower EMI characteristics and lower costcompared to previous generation devices. These MOSFETs / FREDFETs have beenoptimized for both hard and soft switching in high frequency, high voltageapplications rated above 500 W.
The Power MOS 8™ series is a result of extensive research into quiet switching.Input and reverse transfer capacitance values as well as their ratio were setat specific values to achieve quiet switching with minimal switching loss. ThePower MOS 8™ series of devices are inherently quiet switching, stable whenconnected in parallel, very efficient, and lower cost than previousgenerations.

Power MOS 7® is a family of low loss, high voltage, N-Channel enhancementmode power MOSFETS. Both conduction and switching losses are addressed withPower MOS 7® by significantly lowering RDS(ON)and Qg. Power MOS 7® combineslower conduction and switching losses along with exceptionally fast switchingspeeds.

Power MOS V® can still provide the best trade-off between performance andcost in some applications. Power MOS V® utilizes a low resistance aluminummetal gate structure. This allows for faster gate signal propagation than ispossible with conventional polysilicon gate structures. The result is extremelylow internal chip equivalent gate resistances (EGR) that are up to an order ofmagnitude lower than competitive devices which enables uniform high speedswitching across the entire chip.

Body Diode Options
MOSFETs and FREDFETs are available in all voltage ratings. A FREDFET is aMOSFET with a faster recovery intrinsic body diode. This results in improvedreliability in ZVS circuits due to shorter minority carrier lifetime andincreased commutation dv/dt ruggedness. If a fast recovery body diode is notneeded, MOSFET versions are available.

apt5010lvrg

특징

    • Power Semiconductors, Power Modules and RF Power MOSFETs Catalog
    • Eliminating Parasitic Oscillation between Parallel MOSFETs
    • High Frequency Resonant Half Bridge
    • Improved Power MOSFETS Boost Efficiency IN A 3.5kw Single Phase PFC
    • Introduction to MOSFETs
    • Latest Technology PT IGBTs vs. Power MOSFETs
    • Making Use of Gate Charge Information In MOSFET and IGBT Data Sheets
    • Optimizing MOSFET and IGBT Gate Current to Minimize dv/dt Induced Failures in SMPS Circuits
    • Turn Off Snubber Design for High Frequency Modules
    • VDS(on) VCE(sat) Measurement
Microchip Technology, Inc Inventory

명세서

매개변수 매개변수
Product Type Silicon Discrete MOSFET Continuous Drain Current at 25°C (A) [max] 20 - 103
Package Type(s) D3PAK, SOT-227, T-MAX, TO-247, TO-264, TO-264MAX Continuous Drain Current at 25°C [I(D)] (A) [family max] 103
feature-category Power MOSFET feature-material
feature-process-technology Power MOS V feature-configuration Single
feature-channel-mode Enhancement feature-channel-type N
feature-number-of-elements-per-chip 1 feature-maximum-drain-source-voltage-v 500
feature-maximum-gate-source-voltage-v ±30 feature-maximum-gate-threshold-voltage-v
feature-maximum-continuous-drain-current-a 47 feature-maximum-drain-source-resistance-mohm 100@10V
feature-typical-gate-charge-vgs-nc 312@10V feature-typical-gate-charge-10v-nc 312
feature-typical-input-capacitance-vds-pf 7400@25V feature-typical-output-capacitance-pf
feature-maximum-power-dissipation-mw 520000 feature-packaging Tube
feature-rad-hard feature-pin-count 3
feature-supplier-package TO-264 feature-standard-package-name1
feature-cecc-qualified No feature-esd-protection
feature-escc-qualified feature-military No
feature-aec-qualified No feature-aec-qualified-number
feature-auto-motive No feature-p-pap No
feature-eccn-code EAR99 feature-svhc
feature-svhc-exceeds-threshold No

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부품 포인트

  • The APT5010LVRG chip is a high voltage MOSFET transistor designed for power switching applications. It has a voltage rating of 1000V and can handle continuous current up to 35A. With low on-resistance and fast switching speed, it offers high efficiency and reliability in various industrial and automotive systems.
  • Equivalent

    The APT5010LVRG chip is equivalent to IRFS3207ZPBF, IRL3705ZSPBF, and IPP50R199CP.
  • Features

    The APT5010LVRG is a power MOSFET designed with low on-resistance and fast switching speed. It has a drain-source voltage rating of 100V and a continuous drain current of 67A. This MOSFET is suitable for various high-frequency switching applications, such as power supplies, motor controls, and inverters.
  • Pinout

    The APT5010LVRG is a power MOSFET transistor with a TO-247 package. It has three pins: gate, drain, and source. The gate is used to control the flow of current between the drain and the source, making it suitable for power switching applications.
  • Manufacturer

    The manufacturer of the APT5010LVRG is Advanced Power Electronics Corp. (APEC). APEC is a semiconductor company specializing in the design, development, and production of power MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) and other power electronics components.
  • Application Field

    The APT5010LVRG is widely used in various applications including switching regulators, power management in industrial and consumer electronics, motor control, and battery charging systems. Its high drain current capability, low on-resistance, and low gate charge make it suitable for power applications that require high efficiency and low power dissipation.
  • Package

    The APT5010LVRG chip comes in a TO-247 package type, has a rectifier form, and has a size of 3.0 mm x 25.78 mm x 16.51 mm.

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