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Microchip TN2524N8-G

Name: TN2524N8-G
Rating: 4.5 (10 reviews)

TN2524N8-G is a N-type MOSFET designed to handle up to 0.36A of current at 240V with a SOT-89-3 package

브랜드: Microchip

제조업체부품 #: TN2524N8-G

데이터 시트: TN2524N8-G Datasheet (PDF)

패키지/케이스: SOT-89-3

상품 유형: 트랜지스터

RoHS 상태:

재고상태: 2850 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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TN2524N8-G 일반적인 설명

This low threshold, enhancement-mode (normally-off) transistor utilizes a vertical DMOS structure and well-proven, silicon-gate manufacturing process. This combination produces a device with the power handling capabilities of bipolar transistors and with the high input impedance and positive temperature coefficient inherent in MOS devices. Characteristic of all MOS structures, this device is free from thermal runaway and thermally-induced secondary breakdown.Vertical DMOS FETs are ideally suited to a wide range of switching and amplifying applications where very low threshold voltage, high breakdown voltage, high input impedance, low input capacitance, and fast switching speeds are desired.

특징

Low threshold (2.0V max.)
High input impedance
Low input capacitance (125pF max.)
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-89-3	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	240 V
Id - Continuous Drain Current	360 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	6 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	600 mV
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	1.6 W	Channel Mode	Enhancement
Brand	Microchip Technology	Configuration	Single
Fall Time	20 ns	Forward Transconductance - Min	300 mS
Height	1.6 mm	Length	4.6 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Rise Time	10 ns	Factory Pack Quantity	2000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	FET	Typical Turn-Off Delay Time	20 ns
Typical Turn-On Delay Time	10 ns	Width	2.6 mm
Unit Weight	0.001862 oz

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