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Microchip DN3135K1-G

Name: DN3135K1-G
Rating: 4.5 (5 reviews)

The DN3135K1-G MOSFET is a high-voltage, low-current device suitable for switching circuits in power supplies and other electronic systems

브랜드: Microchip

제조업체부품 #: DN3135K1-G

데이터 시트: DN3135K1-G Datasheet (PDF)

패키지/케이스: SOT-23-3

RoHS 상태:

재고상태: 3019 PC, 새로운 원본

상품 유형: 트랜지스터

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

가격

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10	$0.318	$3.180
30	$0.286	$8.580
100	$0.248	$24.800
500	$0.231	$115.500
1000	$0.220	$220.000

In Stock:3019 PCS

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DN3135K1-G 일반적인 설명

MOSFET, N CH, 350V, 0.072A, SOT-23-3; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 72mA; Drain Source Voltage Vds: 350V; On Resistance Rds(on): 35ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 0V; Threshold Voltage Vgs: -; Power Dissipation Pd: 360mW; Transistor Case Style: SOT-23; No. of Pins: 3Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

특징

High input impedance
Low input capacitance
Fast switching speeds
Low on-resistance
Free from secondary breakdown
Low input and output leakage

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Product Category	MOSFET	RoHS	Details
Technology	Si	Mounting Style	SMD/SMT
Package / Case	SOT-23-3	Transistor Polarity	N-Channel
Number of Channels	1 Channel	Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	350 V
Id - Continuous Drain Current	72 mA	Rds On - Drain-Source Resistance	35 Ohms
Vgs - Gate-Source Voltage	- 20 V, + 20 V	Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	3.5 V
Minimum Operating Temperature	- 55 C	Maximum Operating Temperature	+ 150 C
Pd - Power Dissipation	360 mW	Channel Mode	Depletion
Brand	Microchip Technology	Configuration	Single
Fall Time	20 ns	Forward Transconductance - Min	140 mS
Height	0.95 mm	Length	2.9 mm
Product	MOSFET Small Signals	Product Type	MOSFET
Rise Time	15 ns	Factory Pack Quantity	3000
Subcategory	MOSFETs	Transistor Type	1 N-Channel
Type	FET	Typical Turn-Off Delay Time	15 ns
Typical Turn-On Delay Time	10 ns	Width	1.3 mm
Unit Weight	0.000282 oz

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단계1 :제품
단계2 :진공 포장
단계3 :정전기 방지 가방
단계4 :개별 포장
단계5 :포장 상자
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부품 포인트

The DN3135K1-G chip is a semiconductor component designed for power management applications. It integrates various circuitry and functions to regulate and control voltage levels within electronic devices efficiently. The chip operates at high frequency and provides protection features for enhanced reliability. With its compact and versatile design, the DN3135K1-G chip is widely used in a range of electronic devices for efficient power management.
Features

DN3135K1-G is a thyristor module that features a high voltage capability of up to 1600V, high blocking voltage, high surge capabilities, and low power losses. It is designed to provide efficient power conversion and control in various applications, including motor control, industrial drives, and power supplies.
Pinout

The DN3135K1-G is a dual N-channel enhancement mode MOSFET. It has three pins: Gate (G), Drain (D), and Source (S). The pin count is 3, and the functions of these pins are to control the flow of current between the Drain and Source terminals by applying voltage to the Gate terminal.
Manufacturer

The manufacturer of the DN3135K1-G is a company called Texas Instruments. It is a leading semiconductor and electronics component manufacturer, specializing in various products including integrated circuits, microcontrollers, processors, and other digital and analog devices.
Application Field

The DN3135K1-G is a high voltage, high-side power switch specifically designed for automotive applications. It is commonly used in automotive safety applications such as airbag control modules, seatbelt pre-tensioners, and crash sensors. Its compact size, robust design, and high voltage capability make it suitable for various automotive safety systems.
Package

The DN3135K1-G chip is packaged in a SOT-23 package type. It is in a small form factor with dimensions of approximately 3.0mm x 1.3mm x 1.1mm.