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STT4P3LLH6

Name: STT4P3LLH6
Brand: Stmicroelectronics Nv
Rating: 4.8 (10 reviews)

Compact and robust P-channel MOSFET solution for space-constrained designs

브랜드: Stmicroelectronics Nv

제조업체부품 #: STT4P3LLH6

데이터 시트: STT4P3LLH6 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT23-6L

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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STT4P3LLH6 일반적인 설명

The STT4P3LLH6 P-channel Power MOSFET leverages the cutting-edge STripFET H6 technology and a newly designed trench gate structure to offer unmatched performance. With very low RDS(on) characteristics across all package options, this device is well-suited for demanding power management applications in industrial and automotive settings

특징

Very low on-resistance
Very low gate charge
High avalanche ruggedness
Low gate drive power loss

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer:	STMicroelectronics	Product Category:	MOSFET
RoHS:	Details	Technology:	Si
Mounting Style:	SMD/SMT	Package / Case:	SOT-23-6
Transistor Polarity:	P-Channel	Number of Channels:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	30 V	Id - Continuous Drain Current:	4 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	56 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1 V	Qg - Gate Charge:	6 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	1.6 W	Channel Mode:	Enhancement
Tradename:	STripFET	Series:	STT4P3LLH6
Packaging:	MouseReel	Brand:	STMicroelectronics
Configuration:	Single	Fall Time:	3.4 ns
Product Type:	MOSFET	Rise Time:	5 ns
Factory Pack Quantity:	3000	Subcategory:	MOSFETs
Transistor Type:	1 P-Channel Power MOSFET	Typical Turn-Off Delay Time:	19.2 ns
Typical Turn-On Delay Time:	5.4 ns

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부품 포인트

The STT4P3LLH6 chip is a high-power RF transistor designed for use in high-performance wireless communication and industrial applications. It operates in the frequency range of 50-400 MHz and delivers high efficiency and power output. The chip is ideal for applications requiring high power amplification in a compact form factor.
Features

STT4P3LLH6 is a high-power, high-efficiency gallium nitride (GaN) transistor designed for RF and microwave applications. It has a low thermal resistance package, high breakdown voltage, and high gain, providing excellent performance in high-frequency power amplifiers.
Pinout

The STT4P3LLH6 is a 4-channel low-side power switch with a pin count of 10. It is designed for automotive applications and can handle up to 30V. Its functions include short-circuit protection, overcurrent protection, and thermal shutdown.
Manufacturer

The manufacturer of the STT4P3LLH6 is Samsung. Samsung is a multinational conglomerate company headquartered in South Korea, known for its electronics products such as smartphones, televisions, and home appliances.
Application Field

The STT4P3LLH6 is a power transistor designed for high-frequency switch-mode power supplies, motor control, and audio amplifiers. It can be used in various applications such as LED lighting, solar inverters, and industrial equipment where high efficiency and high power levels are required.
Package

The STT4P3LLH6 chip is a surface-mount package type with a form factor of PowerFLAT-3x3-12L. It has a size of 3x3 mm and contains 4 power MOSFETs in a half-bridge configuration.