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Infineon IRF3711

N-Channel 20 V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220AB

ISO14001 ISO9001 DUNS

브랜드: Infineon

제조업체부품 #: IRF3711

데이터 시트: IRF3711 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: TO-220-3

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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IRF3711 일반적인 설명

N-Channel 20 V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220AB

특징

  • Static drain-source on-resistance:
  • RDS(on) ≤6.0mΩ
  • Enhancement mode
  • Fast Switching Speed
  • 100% avalanche tested
  • Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
  • performance and reliable operation

명세서

매개변수 매개변수
Manufacturer: Infineon Product Category: MOSFET
Technology: Si Mounting Style: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Transistor Polarity: N-Channel
Number of Channels: 1 Channel Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 20 V
Id - Continuous Drain Current: 110 A Rds On - Drain-Source Resistance: 6 mOhms
Vgs - Gate-Source Voltage: - 20 V, + 20 V Minimum Operating Temperature: - 55 C
Maximum Operating Temperature: + 150 C Pd - Power Dissipation: 3.1 W
Channel Mode: Enhancement Brand: Infineon / IR
Configuration: Single Fall Time: 12 ns
Height: 15.65 mm Length: 10 mm
Product Type: MOSFET Rise Time: 220 ns
Subcategory: MOSFETs Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 17 ns Typical Turn-On Delay Time: 12 ns
Width: 4.4 mm Unit Weight: 0.068784 oz
Series HEXFET® Package Tube
Product Status Obsolete FET Type N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 110A (Tc) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 6mOhm @ 15A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 44 nC @ 4.5 V Vgs (Max) ±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2980 pF @ 10 V Power Dissipation (Max) 3.1W (Ta), 120W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type Through Hole
Supplier Device Package TO-220AB

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