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$5000Infineon IRF3711
N-Channel 20 V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220AB
브랜드: Infineon
제조업체부품 #: IRF3711
데이터 시트: IRF3711 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: TO-220-3
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
IRF3711 일반적인 설명
N-Channel 20 V 110A (Tc) 3.1W (Ta), 120W (Tc) Through Hole TO-220AB
특징
- Static drain-source on-resistance:
- RDS(on) ≤6.0mΩ
- Enhancement mode
- Fast Switching Speed
- 100% avalanche tested
- Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
- performance and reliable operation
명세서
매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
---|---|---|---|
Manufacturer: | Infineon | Product Category: | MOSFET |
Technology: | Si | Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-220-3 | Transistor Polarity: | N-Channel |
Number of Channels: | 1 Channel | Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
Id - Continuous Drain Current: | 110 A | Rds On - Drain-Source Resistance: | 6 mOhms |
Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V | Minimum Operating Temperature: | - 55 C |
Maximum Operating Temperature: | + 150 C | Pd - Power Dissipation: | 3.1 W |
Channel Mode: | Enhancement | Brand: | Infineon / IR |
Configuration: | Single | Fall Time: | 12 ns |
Height: | 15.65 mm | Length: | 10 mm |
Product Type: | MOSFET | Rise Time: | 220 ns |
Subcategory: | MOSFETs | Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 17 ns | Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
Width: | 4.4 mm | Unit Weight: | 0.068784 oz |
Series | HEXFET® | Package | Tube |
Product Status | Obsolete | FET Type | N-Channel |
Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 20 V |
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 110A (Tc) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6mOhm @ 15A, 10V | Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 44 nC @ 4.5 V | Vgs (Max) | ±20V |
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2980 pF @ 10 V | Power Dissipation (Max) | 3.1W (Ta), 120W (Tc) |
Operating Temperature | -55°C ~ 150°C (TJ) | Mounting Type | Through Hole |
Supplier Device Package | TO-220AB |
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