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$5000TOSHIBA SSM3K15AFU,LF
Energy-efficient device for compact electronic product
브랜드: Toshiba
제조업체부품 #: SSM3K15AFU,LF
데이터 시트: SSM3K15AFU,LF 데이터 시트 (PDF)
패키지/케이스: SOT-323-3
상품 유형: Single FETs, MOSFETs
SSM3K15AFU,LF 일반적인 설명
N-Channel 30 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount USM
명세서
| 매개변수 | 값 | 매개변수 | 값 |
|---|---|---|---|
| Manufacturer: | Toshiba | Product Category: | MOSFET |
| RoHS: | Details | Technology: | Si |
| Mounting Style: | SMD/SMT | Package / Case: | SOT-323-3 |
| Transistor Polarity: | N-Channel | Number of Channels: | 1 Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V | Id - Continuous Drain Current: | 100 mA |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 3.6 Ohms | Vgs - Gate-Source Voltage: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 800 mV | Qg - Gate Charge: | - |
| Minimum Operating Temperature: | - 55 C | Maximum Operating Temperature: | + 150 C |
| Pd - Power Dissipation: | 150 mW | Channel Mode: | Enhancement |
| Tradename: | U-MOSIII | Series: | SSM3K15 |
| Packaging: | MouseReel | Brand: | Toshiba |
| Configuration: | Single | Height: | 0.9 mm |
| Length: | 2 mm | Product Type: | MOSFET |
| Factory Pack Quantity: | 3000 | Subcategory: | MOSFETs |
| Transistor Type: | 1 N-Channel | Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 5.5 ns | Width: | 1.25 mm |
| Unit Weight: | 0.000212 oz | Series | U-MOSIII |
| Product Status | Active | FET Type | N-Channel |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) | Drain to Source Voltage (Vdss) | 30 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 100mA (Ta) | Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3.6Ohm @ 10mA, 4V | Vgs(th) (Max) @ Id | 1.5V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 13.5 pF @ 3 V |
| Power Dissipation (Max) | 150mW (Ta) | Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount | Supplier Device Package | USM |
| Package / Case | SC-70, SOT-323 |
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| 배송 유형 | 배송비 | 리드타임 | |
|---|---|---|---|
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부품 포인트
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The SSM3K15AFU,LF is a low on-resistance, small signal, enhancement mode field-effect transistor (FET) that is commonly used in power management circuits and portable electronics. It has a compact SOT-323 package and can handle a maximum continuous drain current of 100mA. This chip is designed for use in applications where high efficiency and small size are critical.
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Equivalent
Equivalent products of SSM3K15AFU,LF chip include SSM3K15FU,LF and SSM3K15AFT,LF. These chips are all P-channel MOSFETs with low on-resistance and suited for use in portable devices, power management, and load switches. -
Features
SSM3K15AFU,LF is an N-channel MOSFET with a low voltage drive, low on-resistance, and small package size. It is designed for high-density applications and offers high performance in a space-saving form factor. -
Pinout
The SSM3K15AFU,LF is a dual N-channel enhancement mode MOSFET with a pin count of 6. It is commonly used for low voltage applications in portable devices for power management. This MOSFET is designed to deliver high efficiency and performance in a compact package. -
Manufacturer
SSM3K15AFU,LF is manufactured by Toshiba Semiconductor & Storage. Toshiba Semiconductor & Storage is a multinational conglomerate company based in Japan that specializes in the design and manufacturing of electronic components, semiconductors, and storage devices. They focus on providing innovative solutions for a wide range of industries including consumer electronics, automotive, and industrial applications. -
Application Field
SSM3K15AFU,LF is commonly used in mobile devices, laptops, tablets, and other portable electronics as a low-voltage field-effect transistor for power management and switching applications. It is also suitable for use in automotive and industrial applications where high reliability and performance are required in compact designs. -
Package
The SSM3K15AFU,LF chip is a surface mount package type with a form of FUMD. It has a small size with dimensions of 1.0mm x 1.5mm x 0.5mm, making it ideal for compact electronic devices requiring efficient power management.
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