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TOSHIBA SSM3K2615R,LF

Name: SSM3K2615R,LF
Brand: Toshiba
Rating: 4.8 (10 reviews)

Attributes: N Channel type, ROHS compliant, SSM3K2615R,LF model number, compact SOT-23F package

브랜드: Toshiba

제조업체부품 #: SSM3K2615R,LF

데이터 시트: SSM3K2615R,LF 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: SOT23F-3

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SSM3K2615R,LF 일반적인 설명

The SSM3K2615R,LF is a state-of-the-art dual N-channel MOSFET that delivers outstanding performance in low-voltage applications. With its ultra-low threshold voltage of just 0.6V, this MOSFET is perfect for power-sensitive devices like smartphones and tablets, where efficient power management is crucial. Its maximum drain-source voltage of 20V and maximum drain current of 1.5A make it well-suited for handling moderate power loads, while its ultra-small TSSOP-6 package ensures compatibility with space-constrained designs. The device's low on-resistance of 0.35 ohms results in minimal power loss and high efficiency, contributing to extended battery life in portable devices. Additionally, the SSM3K2615R,LF features a fast switching speed, which not only reduces switching losses but also enhances overall system performance

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer:	Toshiba	Product Category:	MOSFET
RoHS:	Details	Technology:	Si
Mounting Style:	SMD/SMT	Package / Case:	SOT-23F-3
Transistor Polarity:	N-Channel	Number of Channels:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	60 V	Id - Continuous Drain Current:	2 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	300 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	800 mV	Qg - Gate Charge:	6 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	2 W	Channel Mode:	Enhancement
Qualification:	AEC-Q101	Tradename:	MOSV
Series:	SSM3K2615	Packaging:	MouseReel
Brand:	Toshiba	Configuration:	Single
Fall Time:	50 ns	Height:	0.9 mm
Length:	2.9 mm	Product Type:	MOSFET
Rise Time:	25 ns	Factory Pack Quantity:	3000
Subcategory:	MOSFETs	Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	150 ns	Typical Turn-On Delay Time:	30 ns
Width:	1.3 mm

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부품 포인트

The SSM3K2615R,LF chip is a 20V N-channel MOSFET designed for low on-resistance in a small package. It is commonly used in power management applications such as load switches, battery protection circuits, and DC-DC converters. The chip features high efficiency and low power consumption, making it ideal for portable electronic devices.
Equivalent

Some equivalent products to the SSM3K2615R,LF chip are Vishay's SI2303CDS-T1-GE3, Diodes Inc's DMG1026UW-7, and Nexperia's PSMN1R1-30YLC. These are all similar P-Channel MOSFETs with comparable specifications and performance characteristics.
Features

Features of SSM3K2615R,LF: 1. N-channel enhancement mode MOSFET 2. Small footprint surface mount package (TSMT5) 3. Low threshold voltage of 0.7V 4. Low on-state resistance of 1.5 ohms 5. Low gate input capacitance for fast switching speeds.
Pinout

The SSM3K2615R,LF is a Dual N-channel MOSFET with a pin count of 6 (SOT-353 package). It is suitable for low voltage, low current switching applications. The functions of the pins are: Pin 1 (Source1), Pin 2 (Gate1), Pin 3 (Drain1), Pin 4 (Source2), Pin 5 (Gate2), Pin 6 (Drain2).
Manufacturer

The manufacturer of the SSM3K2615R,LF is Toshiba Semiconductor & Storage. Toshiba Semiconductor & Storage is a leading supplier of semiconductor and storage solutions, focusing on memory, microcontrollers, power devices, and optical semiconductors. The company is known for its innovative technologies and high-quality products in the electronics industry.
Application Field

The SSM3K2615R,LF is a small signal MOSFET commonly used in applications such as power management, battery protection, load switching, and voltage regulation. It is ideal for portable electronic devices, smartphones, tablets, and other battery-powered applications where low on-resistance and low gate charge are critical for efficient performance.
Package

The SSM3K2615R,LF chip is in a MOSFET package type, with a surface-mount form, and measures 2.9mm x 2.8mm x 1.0mm in size.