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vishay SIR836DP-T1-GE3

Name: SIR836DP-T1-GE3
Rating: 4.5 (10 reviews)

Trans MOSFET N-CH 40V 10.6A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R / MOSFET N-CH 40V 21A PPAK SO-8

브랜드: Vishay

제조업체부품 #: SIR836DP-T1-GE3

데이터 시트: SIR836DP-T1-GE3 데이터 시트 (PDF)

패키지/케이스: PowerPAK-SO-8

상품 유형: Single FETs, MOSFETs

RoHS 상태:

재고상태: 9,458 PC, 새로운 원본

Warranty: 1 Year Ovaga Warranty - Find Out More

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SIR836DP-T1-GE3 일반적인 설명

MOSFET, N CH, 40V, 21A, POWERPAK SO-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:21A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.015ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:15.6W ;RoHS Compliant: Yes

특징

TrenchFET® power MOSFET

100 % Rg and UIS tested

명세서

매개변수	값	매개변수	값
Manufacturer:	Vishay	Product Category:	MOSFET
RoHS:	Details	Technology:	Si
Mounting Style:	SMD/SMT	Package / Case:	PowerPAK-SO-8
Transistor Polarity:	N-Channel	Number of Channels:	1 Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:	40 V	Id - Continuous Drain Current:	21 A
Rds On - Drain-Source Resistance:	19 mOhms	Vgs - Gate-Source Voltage:	- 20 V, + 20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:	1.2 V	Qg - Gate Charge:	11.8 nC
Minimum Operating Temperature:	- 55 C	Maximum Operating Temperature:	+ 150 C
Pd - Power Dissipation:	15.6 W	Channel Mode:	Enhancement
Tradename:	TrenchFET, PowerPAK	Series:	SIR
Packaging:	MouseReel	Brand:	Vishay Semiconductors
Configuration:	Single	Fall Time:	9 ns
Forward Transconductance - Min:	35 S	Height:	1.04 mm
Length:	6.15 mm	Product Type:	MOSFET
Rise Time:	13 ns	Factory Pack Quantity:	3000
Subcategory:	MOSFETs	Transistor Type:	1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time:	15 ns	Typical Turn-On Delay Time:	8 ns
Width:	5.15 mm	Part # Aliases:	SIR836DP-GE3
Unit Weight:	0.017870 oz

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부품 포인트

The SIR836DP-T1-GE3 is a power MOSFET chip designed for high efficiency and high-power applications. It offers low on-resistance and a high current rating, making it suitable for use in power management and control circuits. This chip is commonly used in power supplies, motor control, and automotive applications.
Equivalent

Some equivalent products of SIR836DP-T1-GE3 chip include Infineon BSC800N08NS3G, Vishay SiR804DP, and ON Semiconductor FDD6637. These chips are all N-channel MOSFETs with similar specifications and performance capabilities.
Features

SIR836DP-T1-GE3 is a dual N-channel power MOSFET featuring a low input capacitance, low gate charge, and fast switching speed. It is suitable for high-speed switching applications and offers high efficiency and reliability. It has a compact package design for space-saving in various power electronics applications.
Pinout

The SIR836DP-T1-GE3 is a power MOSFET with a pin count of 5. The functions of its pins are Gate (G), Drain (D), Source (S), and two source pins (S2 and S3) for better thermal performance. It is commonly used in power supply applications.
Manufacturer

The manufacturer of SIR836DP-T1-GE3 is Vishay Semiconductor GmbH, a semiconductor company known for producing a wide range of electronic components such as capacitors, inductors, diodes, and integrated circuits. Vishay Semiconductor GmbH also offers custom solutions and services to meet the specific needs of their customers in various industries.
Application Field

The SIR836DP-T1-GE3 is a power MOSFET designed for use in electronic devices that require high efficiency power management, such as DC-DC converters, synchronous buck converters, and battery protection circuits. It is commonly used in industrial, automotive, and consumer electronics applications.
Package

The SIR836DP-T1-GE3 chip comes in a surface mount package type. It is in the form of a PCB-mounted module and is available in a size of 3.95mm x 3.95mm x 1.0mm.